nifesmnmo三明治膜巨磁阻抗效应的研究.pdfVIP

摘 要 最新的研究表明 两个软磁层中间夹一高导电金属层的三明治 Sandwiched 结构的膜 在相对较低频率下就能获得很大的GMI 效应 而且相对于GMR 效应 具有灵敏度高 体积小 响应快等优点 在高灵敏磁传感器和磁记录技术等方有 十分诱人的应用前景 本文分别用直流磁控溅射法和真空蒸镀法制备了超坡莫合金三明治膜 NiFeSiMoMn/Cu/NiFeSiMoMn 上下两层为NiFeSiMoMn 的软磁材料 中间为Cu 导电层 用直流磁控溅射法制备的样品每层厚均为2.5 m 铜膜宽度分别为0.3mm 0.7mm 0.9mm 研究了GMI 效应随外磁场 驱动频率 铜膜宽度关系及磁导率 和外磁场的关系 结果表明 溅射态的样品测量得到了理想的GMI 效应 当Hex Hk 5Oe 时 出现峰值 而且纵向GMI 效应出现明显双峰 横向的出现较好的 单峰 样品的最佳频率分别在3.3MHz 和4MHz 附近 纵向GMI 的峰值达到15.4 横向达6.63 发现了GMI 值都随着铜膜宽度出现振荡性的变化 纵向磁导 率实部出现双峰 HexHk 时 随Hex 增大而增大 HexHk 时 随Hex 增大而减小 横向磁导率实部在H 0Oe 时出现单峰 纵向和横向磁导率虚部都在H 0Oe 处出 现单峰 用真空蒸镀法制备样品每层厚均为1 m 铜膜宽度分别为0.3mm 0.5mm 0.7mm 0.9mm 研究了GMI 效应和外磁场 驱动频率 铜膜宽度的关系 结果 表明 蒸镀态的样品也得到了GMI 效应 当Hex Hk 10 Oe 时 出现峰值 而且 纵向GMI 出现明显双峰 横向也出现单峰 样品的最佳频率在5MHz 附近 纵向 GMI 的峰值达到4.23 横向达0.78 发现GMI 值都随着铜膜宽度也出现振荡 性的变化 对比未经退火情况下两种样品 两种样品都出现了GMI 效应灵敏度最高的AB 段 此段的GMI 效应不但灵敏度高 而且所需的外磁场较低 GMI 值都随着铜膜 宽度出现振荡性的变化 溅射态样品的最佳频率小于蒸镀态样品的最佳频率 溅 射态样品的GMI 效应明显好于蒸镀态 而且出现峰值的外磁场低于蒸镀态 关键词 巨磁阻抗效应 坡莫合金 三明治膜 软磁性能 磁导率 I Abstract The Sandwiched films manifest notable GMI effect in low frequency value; and high sensitivity small volume fast response are better than GMR effect. It will be important for application of high-tec sensor. In this thesis, NiFeSiMoMn/Cu/NiFeSiMoMn sandwiched films including W cu 0.3mm 0.7mm and 0.9mm have been prepared by DC magnetron sputtering deposition and including Wcu 0.3mm 0.5mm 0.7mm and 0.9mm by vacuum evaporated deposition.. As a result, 2.5 m /2.5 m /2.5 m by DC magnetron sputtering deposition and 1 m