tiol;,2gt;压敏电阻电学性质的研究.pdfVIP

些查盔堂堡主堂垡笙奎!!!垒垦墼生堕叟兰丝堕塑堕!iL—— ． 摘要 f有关TiO：压敏电阻的研究最早始于1982年。近些年来随着自动控制 电瞎和半导体线路技术的发展，人们对压敏材料的要求趋向于多功能化和 低压化，TiO：压敏电阻作为一种电容一压敏复合功能材料开始引起人们的 构关压私 ～|弓瓣掀同妖电啊 讹腿脚铼蜥一㈣燃往敏腿嬲 z阻模胡 却猜出望胞卧蜥蚴锨M釉j耋}枷昕惜埘础硼胡蜞㈣雠盱驰锄账”撑凇躺啪魁躺献啦蝴 ～一一一 电阻的理论模型。 囊一 本篇论文首先以TiO，WO，系列压敏材料为例，比较详细的研究了该系 列压敏材料的微观结构、非线性电学性质、介电性质。通过晶格缺陷理论 分析了该系列压敏材料内部的缺陷形成过程及分布范围，类比于ZnO压敏 电阻的晶界势垒模型提出了适用于TiO：压敏电阻的晶界缺陷势垒模型。为 了使我们的认识更加全面，我们还研究了该系列压敏材料的偏压特性、等 效电路以及烧结温度对压敏性能的影响。在此基础上，我们用同样的方法 性质，进一步验证了我们的结论，并对试验中发现的新现象作出解释。 | ／研究中发现，TiO，WO，系列压敏电阻表现出较好的压敏性质，掺杂o．25 f mo沁／oWO，的样品13500C烧结后非线性系数可达到9．6，压敏电压为 44．5V／mm，相对介电常数为741×104，这在已有文献报道中都属于性质比 较好的。我们认为压敏材料的电学性质与其晶界层的缺陷势垒密切相关。 2一 对于TiO，WO、系列压敏电阻，构成势垒的主要因素是晶界层中的O一、O 以及晶界两侧耗尽层中的T睁、w瞢和矿分。对于TiO：WO，SnO：系列压敏 电阻T乎是影响晶界耗尽层的主要原因。而对于BaCO，、La20，等受主搀 主塞塑至一—— 杂的TiO：压敏电阻y分成为构成晶界耗尽层的主要成分。不管何种搀杂形 式，晶界层中的负电荷大多都是0’、0。。等价搀杂与受主搀杂的作用在 于影响材料内部的晶界势垒，其中对耗尽层厚度的影响往往是主要因素， 而材料压敏性能的改变也正与此有关。 TiO，WO，系列压敏电阻除具有较好的压敏性质以外，还由于其配方简 单，可以进～步进行三元系、四元系等多元搀杂改性，使得该系列压敏材 料具有较大的研究和只发潜力。对TiO：压敏电阻进行SnO：等价搀杂是我 们研究压敏材料电学性质的～种新尝试。研究La：0，受主搀杂的意义在于 给我秆：堤供了一种可能性，即在对压敏材料进行搀杂改性时可以通过适当 的搀杂使得压敏材料的个别性能指标发生变化，而对其他性能则影响不 大。另外，我们对AI，0j受主搀杂的研究相信可以为人们更好的理解压敏 材料性能老化现象提供借鉴。 关键词：TiO：；压敏电阻：搀杂；电学性质：晶界缺陷势垒 、 、 2 坐查查兰堡主堂焦笙奎!!!Q!垦墼皇堕皇堂垡璺塑婴墨! Abstract with Theearliest of basedvaristorsin】982，Now Ti02 began investigation andsemiconductor of electronics the automobile electronics，the development of