pecvd制备包埋硅量子点的氮化硅薄膜及其发光特性研究.pdfVIP

摘要 摘 要 硅基纳米材料是近年迅速发展起来的一类新型光电信息材料，在未来的发光 ：极管和光I乜子集成技术中都具有潜在的重要作用。稳定而有效的发光在包埋于 氧化硅或氮化硅的si团簇中可以获得，然而关于硅基纳米材料的发光起因仍在 争沦当中。对硅基发光纳米材料的发光起因的澄清，不仅可以深化与丰富低维物 理的研究内容，而且对于硅基光电子器件的进一步发展是非常有意义的。 本论文主要对包埋硅量子点的氮化硅薄膜的制备和表征进行了研究，取得的 ‘ 土要结果如下： ，_i=磺r点的氮化碓薄膜，对所制得的薄膜在不同退火温度下的结构特性阻及发光 特性进行了分析： 2．研究了不同反应气体流量Lt,昂J。富硅氮化硅薄膜的影响，对所制得薄膜的结 I：j=『特性以及发光特性进行分析： ：{．迎过退火温度和反应气体瀛量比对富硅氮化硅薄膜的影I】叭研究薄膜的发 光特性和结构削的关系，进而分析得出材料的发光机理，澄清了硅基纳米材料的 发光起因，认为发光来源于包埋于氮化硅薄膜中出于量子限制效应而使带隙增大 『fm{：㈨簇； 4．¨实了意磷氮化硅薄膜中髋团簇的存往，并且计算了薄膜中硅团簇的尺寸 人小，为利料的发光束源做j’进一步的验证。 关键词：氮化硅，量子点，等离子体增强化学气相沉积，悬键，发光 颗坝I‘论jc= PECVD法制备包埋硅量了点的氮化辟薄膜强1f发光特性1，玎究 Abstract Silicon—based are inresent a n．anomaterials，whichdevelopedrapidly years，are kindofnew information areof patternoptoelectronic materials．They great bothin in imp01‘tallce light—emittingdiode(LED)and andefficient be for achiex’edsilicon technology，Stablephotolmllinescence(PL)can clusters embeddedinsiliconoxideorsilicon thePL ofsilicon nitride，butorigin naflostructuresisstillindebate．The PL ofthe forthe clarifying origin not can nanomaterials andenrichtheresearchofthe only deepen butalsoisnlore forthe ofthesilicon—based physics ad、’antageousdevelopment dex 7ices． optoelect,onic In deal Il thisthesis．we