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ZnCdSe／ZaSe量子阱二阶非线性光学特性的研究 摘要 镰 一 光抖堂皇工程 系 光 堂 专业 厂，2Q姒届硕士研究生姜丞强指导教师盆建垡副教授 陆送淫教授 f 摘 要 } ；t ^ ‘用光子代替电子实现信息的获得、存储、传输和处理，将是人类科技史上 j ， ＼ 鼍!、 的一次重大革命，也将是二十一世纪信息化社会的主要标志之一。研制和发展 具有实用价值的光子器件是高度信息化社会发展和未来“信息高速公路”建设 的迫切需要。半导体超晶格量子阱材料的量子局域效应，使其具有与体材料明 显不同的光学与非线性光学特性，特别是对于非对称量子阱材料(如阶梯阱或耦 合阱)而言，由于打破了原有的对称性，因而显示出了非常大的二阶非线性光学 特性。所以。在发展超快响应、低功率密度(或大的非线性系数)的光子器件(如： 超薄微型倍频器、混频器、光调制器、光开关等)方面有着广泛的应用背景。进 一步研究和探索11--VI族半导体量子阱超晶格的非线性光学性质及其产生机 、／ 理，无疑具有十分重要的理论和实际意义习本论文工作针对分子束外延生长的 ／ zn．．xC也Se／ZnSe非对称耦合量子阱结构，研究了其中的二阶非线性特性和声子 振动性质及其产生机理。主要结果如下： 1． 特性。此较两种样品的荧光光谱，可以明显看出量子阱的荧光峰，这表明 、 、 量子阱样品质量较好N 』 2． 利用喇曼散射的方法研究了三种非对称耦合量子阱zn。Cd。Se／ZnSe的声子 振动特性。续验中观察到了分别对应于与ZnCdSe窄阱和宽阱的一级限制 ＼ 光学模LOl(LowWell)和LOl(Wide 一 ， 和等离予体的耦合模，并对它们进行了简要的讨论和分析。≮ F． ， # } { ， ≯， ZnCdSc／ZnSc量子阱二阶非线性光学特性的研究 摘要 ● 3．