常温下脉冲光沉积立方氮化硼薄膜和金刚石的纳米成核热力学研究.pdfVIP

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常温下脉冲光沉积立方氮化硼薄膜和金刚石的纳米成核热力学研究

张灿云 常温下脉冲激光沉积立方氮化硼薄膜和金刚石的纳米成核热力学研究 ! 摘要 本文采用偏压辅助射频等离子体增强脉冲激光沉积(RF-PEPLD) 方法在常温下(250 C)制备立方氮化硼(c.BN)薄膜,初步研究了薄 膜沉积参数:激光能量密度、射频功率、基底负偏压和镀膜时间对 立方氮化硼薄膜生长的影响,并分析了常温下用RF-PEPLD方法 沉积立方氮化硼薄膜的形成过程和机理。利用高能脉冲激光r波长 《32nm,频率=1赫兹,脉宽=/0纳秒1在常温下轰击烧结的高纯六方 氮化硼01.BN)靶,在真空反应室中将BN薄膜沉积在单晶硅基底 扫描电镜(S皿“)的测量结果显示,基底上的BN膜中立方相含量 很高,且晶粒大小均匀、排列致密,晶形呈规则的四角和六角形。 通过分析各个沉积参数在薄膜生长中的作用,证明三个沉积参数: 激光能量密度、射频功率和基底负偏压是室温下生长立方氮化硼薄 膜的关键因素,并在此基础上初步解释了立方氮化硼薄膜的形成过 程及机理。在立方氮化硼的形成过程中,高能粒子对薄膜的轰击起 着至关重要的作用。另外,在我们所制备的薄膜中还得到了氮化硼 的另一高压相一爆炸结构氮化硼(E.BN),并初步研究了其生长的 热力学参数。目前金刚石的热力学成核及生长机理尚不完全清楚, 金刚石在低温低压下的成核和生长,仍被认为是一种热力学的“悖 论”。本文从热力学角度分析了化学气相沉积(CvD)金刚石过程 中,金刚石的成核行为,提出了一种新的金刚石的纳米成核热力学 观点。研究表明,建立在碳的平衡相图基础上,在纳米尺寸的金刚 石临界核的曲率诱导下的表面张力效应将金刚石成核的亚稳相区推 进到稳定相区,因此无论对于金刚石的均匀气相成核还是异质成 核,在金刚石和石墨的竞争生长中,金刚石成核均优先于石墨成 核。本文亦用此纳米成核热力学理论研究了脉冲激光诱导液一固界 面反应(PLIIR)制备金刚石过程中金刚石的纳米尺寸诱导的附加 压强对金刚石临界晶核的吉布斯自由能的影响,研究发现金刚石晶 张灿舌 常温下脉冲激光沉积立方氮化硼薄膜和金羁q石的纳米成核热力学研究 堡 和4000-5000K)推出,同时在此温度、压强范围内石墨向金刚石 沉积立方氮化硼薄膜的独特优势并讨论了本文提出的金刚石的纳米 成核热力学理论的重要意义。 关键词:脉冲激光沉积,立方氮化硼,爆炸结构氮化硼,附加压 强,纳米热力学 _擐袖舌 霉涵下辣砖激怒漉积立方氮纯臻薄鹱帮金溅嚣戆鳞寒筑接热岛掌硬变 Abstract Cubicnitride havebeen atroom boron{c-BN)filmsprepared radio enhan∞d laser temperature(250C、by frequencyplasma pulsed withsubstrate bias.In也is deposition(RF-PEPLD)。assistednegative studiedtheeffectoflaser paper,weprimarily enef譬Ydensity,radio biasand timeonthe of C. frequencypower,substratedepositing growth and theformation mechanismof 转Nfilms。and C—BN

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