平均键能物内涵与肖特基势垒和异质结带阶的研究.pdfVIP

笙苎塑篁 一一 论文摘要 j金属一半导体接触在技术上十分重要，在半导体器件和集成电路中广泛地利用着各 种不同性质的金属一半导体接触。因而器件与集成电路的质量和可靠性在很大程度上依 赖于电路中金属一半导体接触的性质；半导体异质结的价带带阶丝，和导带带阶AE．决 定着量子阱和超晶格的势阱深度及其基本特性，预言、调节或控制带阶的“能带剪 裁”新技术是当今“能带工程”的重要组成部分。金属一半导体接触Schottky势垒和 异质结带阶的实验和理论研究与“表面与界面”新兴学科的研究进展紧密相关。基于 不同实验结果的不断发现，先后提出Schottky势垒和异质结带阶的不同理论模型。关 于Schottky势垒或异质结带阶，已提出的理论模型和计算方法多种多样，尚未统一。 各种不同理论模型的计算中采刚的参考能级也不相同。在本课题研究中，我们研究了 自由电子能带和金属能带中平均键能E。，与费米能级E，的内在联系，发现平均键能相 当于费米能级；在半导体能带中，着重研究了平均键能E。．与半导体“固有费米能级” 所具有的相同物理内涵，揭示了平均键能的物理实质，建立了一种同时适用于 Schottky势垒和异质结带阶的理论计算方法，即“平均键能方法”：并结合有关形变 势的研究，将“平均键能方法”推广应用于应变层异质结带阶的理论计算，同时根据 平均键能方法的特点，提出应变层异质结带阶的简化计算方案拇论文由五章组成。 第1章介绍涉及本课题的研究背景和理论基础，第2至5章斫究内奔与结果的提要如 下。 第2章，研究自由电子能带模型中的平均键能与费米能级问的关系。对于Si、 和六角结构的Ti、zr、Hf与体心四方的Sn等4种金属晶体，将它们的价电子近似为 r 自由电子。卜方面根据自由电子填充的费米球半径计算它们的费米能级E，；另一方 。 ＼ 面，计算这些晶体在平衡时以及流体静压力应变和单轴应变状态下的自由电子能带结 构，由电子在能带中的“最高填充态”计算其费米能级E。”．与此同时，根据自由电 子能带本征值的计算结果，引用正文中式(1．2．11)计算它们的平均键能E．．着重研 论文摘要 究了E，、EF”与En,三者间的关系。数值计算中发现，不但晶体处于平衡时其平均 键能E。值非常接近于费米能级EF(或EF”)值，而且在晶体发生流体静压力应变 和单轴应变时，E，-qEF随应变状态的变化规律也是相同的。研究结果表明，在自由 电子能带模型中平均键能E，相当王费米能级EF，我们建立的E。计算公式可以用来 ＼ 计算自由电子系统的费米能级E，。77 第3章，研究金属能带中的平均键能与费米能级问的关系。对于六角结构(hcp) Ti、zr和Hf以及体心四方(btc)B—Sn等4种不同的金属晶体，采用第一原理赝势法 计算它们的能带结构．由价电子“最高填充态”确定其费米能级E?，并计算其平均 ， 键能E。值，探讨E。与E?’的关系研究结果表明，在上述4种金属能带中，不仅E。 ≮ 与E?在数值上非常接近，E。与E尹两者随能带计算中采用的平面波基函数的数目的 变化趋势也相当接近，而且Em与E?随晶体的流体静压力应变和单轴应变的变化规律 也是相同的。所以与自由电子能带中所发现的情况类似，金属能带中的E。也相当于费 、 米能级E罗，平均键能E。的计算公式也可以用来计算这些金属晶体的费米能级。_ 第4章，研究半导体能带中平均键能的物理内涵及其在肖特基势垒和异质结带阶 理论计算中的应用。l在能带理论中，以布里渊区中接体的能带结构表征晶体的价电子 态。对于出现禁带的半导体能带，4个价带填满价电子、所有导带是空态。我们把这种 价电子状态的费米能级称为半导体“固有费米能级”，以区别于半导体物理中已经定 义的“本征半导体费米能级”。研究中，我们先说明通常在能带计算中采用的由“最 高填充态”确定费米能级的方法不适用于半导体，半导体物