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溶胶-凝胶制备pb
摘要
本文对采用s01．gel法制备PbI’xLa，TiO，薄膜的工艺进行了初步探索，制各
出了光滑均一的PLT铁电薄膜，对PLT薄膜的介电、铁电性能进行了初步分析，
并尝试对实验结果做出了解释。
在制备溶胶的过程中，我们发现环境温度，水分，稳定剂的比例以及溶胶
的浓度对制备高质量的PLT薄膜有较大影响，一般说来，温度越高，水分越大，
溶胶的浓度越大，稳定剂的比例越小，那么溶胶的水解聚合速率越大，稳定性
越差，不利于制各高质量的薄膜，但是当溶胶的水解聚合速率过慢时，溶胶的
浓度过小，制各的薄膜由于网孔较多而不致密，同样影响PLT薄膜的性能。
在PLT薄膜的后处理工艺上，我们通过实验发现PLT薄膜在550℃时结晶
较好，在600℃或600C以上，由于Pb的挥发，影响PLT薄膜形成钙钛矿相，
在500℃以下，PLT薄膜基本处于非晶态。
在PLT薄膜的介电性能方面，我们发现，随着频率的增加，PLT薄膜的介
电常数变小，而介电损耗则先变小，后又增大。另外，PbTiO，过渡层的存在，
能够提高PLT薄膜的介电常数，降低PLT薄膜的介电损耗。
在PLT薄膜的铁电性能方面，我们发现，随着La的增大，薄膜的电滞回
线逐渐变得窄了，也就是说PLT薄膜的矫顽场、剩余极化随着La的增加而减
小，当然，由于漏电导过大这一问题始终存在，对PLT薄膜铁电性能的研究还
需要进一步努力。
关键词：S01．gel法，PLT薄膜，介电，铁电
Abstract
havebeen on
thinfilms prepared
Pbl．xLaxTi03
Tetragonal
andon buffer
substrates layersbysol。gelprocessing．
Pt／Ti／Si02／Si PbTi03
ofthefilmsare
Dielectic andferroelectric investigated，
property property
are
trial totheresults
explanation given．
Detailsofthe are inthisarticle．In
experimentspresented which，
are
andthe found
theambient
of stabilizingagent
temperature，humidity
tO rolesin PLTthinfilms．
highquality
playimportantgetting
PLT
that thin
treatmentsofthefilmsshowed
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