纤锌矿结构nlt;,xgt;galt;,1-xgt;n中的光学声子及其电子声子相互作用.pdfVIP

摘要 摘要 m．v族氮化物GaN、InN，AIN及其合金材料是近年来半导体发光器件研究领域中 的热点，其中一个十分重要的课题就是纤锌矿结构混晶hGal。N中的光学声子及其电 子声子相互作用。由于声子和极化子对InxGal。N及其组成的量子阱的光学性质有重要 的影响，因此研究lnxGal。N中的光学声子模和电声相互作用具有十分重要的物理意义。 第一部分的工作首先采用修J下的无轨离子模型研究纤锌矿结构混晶InxGal。N中的 子及色散关系。结果表明：纤锌矿结构lnxGal。N的光学声子频率、介电常数和振子强 度随组分x变化近似线性，次邻近原子IIl与Ga之间的相互作用引起非线性变化。单量 子阱GaN／lnxGal．xN／GaN中的界面声子随组分J变化近似线性，GaN／lno5Gao．5N／GaN中 的界面声子有四支发生色散，另外两支没有色散现象。 第二部分的工作从晶格动力学方程出发，采用修正的无轨离子模型和Born．Huang 方法导出纤锌矿结构混晶In：Gal，。N体系的哈密顿，然后用微扰法处理In，Gal。N中的电 子与LO声子之间的相互作用。计算结果表明：弗留罩希耦合常数、极化子能量迁移和 极化子有效质量随组分J的变化近似线性，次邻近原予In和Ga的相互作用使电子与 LO声子的耦合强度和极化子能量迁移减小，极化子有效质量也有微小的非线性交化。 关键词：混晶，光学声子，界面声予，电声相互作用 Abstract Abstract Inm咖t and IIl-Vnitrides their haveattractedmuch GaN，AIN，InNtemafy years，the compounds attentioninsemiconductordevices．o雌ofthemost isthe light．emitting importantsubjectsopticalphonons and is known interactioninwartzitemixed well thatthe electren-phonon cryslalslnxOal．xN．it optical andthe havean influenceonthe of and wells． pbonons In_Gal．tN polamm important properties quantum Henceitis to the andthe verynecessary investigateopticalphonouspolarons． Inthefirst onthe of work,basedmodifiedrandomelement isodisplacementmodel，theoptical phonons agestudied．Interfaceand relationsofthe at