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纯电子等离体潘宁阱实验装置的研制.pdf

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纯电子等离体潘宁阱实验装置的研制

!竺翌竺苎查查兰竺主兰1立丝查—一一————————————————!!! 摘 要 本沦文俩1i要l作址作凋研{=【l参考围外同类,班装霄实验的基础与醢计和制 作¨Ur等离一r休约束装胃一一浠’j1,{姆们格剐lU于等离子体装置。并在装置搭 建完成之肝对装胃利实验进行了凋试和准备rfl:.我们建造这个潘宁阱装置的目 的是∥}究纯JU予等离了体在强磁场条什卜+横越磁场的输运过程,以补充[¨F尚属 缺乏的强僦场下等离r体输运模喇。 f等离于体实验装胃,整个 前先,我们建曲.起了‘套完钎『『J浠‘一j姆们格fU 袈胃他括真窄帑系统、磁场线圈、f乜r发射源、浠宁阱电极系统、电极系统驱动 fU源、IU刊叟集系统、肝续测磺1I三路。/堤胃的1:要参数如下: 、\ jire卒审为一K两水,内良{t为10厘米的不锈钢圆筒。山机械泵和分予泵 机组预抽真空,尢高真空¨寸,真窄度…溅射离r泵维持。真空系统的极限真空度 为2×10~Torr: 濡’j。阱的IUf;}{:场化形干¨人小:m约爪状态叫,约束极接地,fji『、历端极施加 负的商lUJK。磁场山。K随磁场线恻产7I-,订:灾验K域磁场方向’j也极筒轴向平 行,磁场感应强度均匀,人小为0~50CG,m.,J: 神:没泔h使刚间接加热钡钨刚极的方式发射I小r,电子为束状注入,束直 径为2Ⅲm。IF常r:作JJ、『儿IU了发射能力为200mA: 浠宁阱f【l极构造:I乜f-前端极和木端极均为内径60lrm,K 100mm的导体 圆筒.}U 锌}乜极为同心{B联形式,电极之问缝隙为2mm。潘宁阱电极系统驱动电源为双 路ij控f|jofU』『i脉≯pIb源;l一 7 厂源发射能力和注入过W决定。n:小装霄中电f等离予体的没汁密度为lO,∞,。 嘬极: j0次,列浠0。阱装霄进行了凋试I:作,遇到的li要问题是在『U于源发射和注 入过烈,我们尝试了使』『j直接加热钨丝和问接加热钡鸽阴极的方法,但是还没行 得到满意的效果,仍需要进…步的L作。——一一 !!竺竺苎!查竺竺主兰竺竺查 苎兰 ABSTRACT as Forthe to such electronsor particles ions, abilitytrapcharged strong and hasa wide in Penning—Malmbergtrap longhistory applicationsmanyphysics innon—neutral will research describeaPure areas,especially plasma.Here,we hasbeen ElectronPlasma set in Device,which Trap

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