离子迁移调氧化钨纳米线电输运性能.pdfVIP

lMIIIIIIIMIIIIIIII II II III Y2326860 摘 要 阻变存储器(或称忆阻器)由于兼容CMOS工艺、读写速度快、 能耗低等特点有望成为新一代的存储器件。但是忆阻材料的忆阻机理 目前尚不明确，这阻碍了阻变存储器的产业化，进一步研究忆阻效应， 阐明其内在机理成为当务之急。现今，氧空位缺陷在氧化物的忆阻性 能中的主要作用已经得到广泛认同。非化学计量比的W03为研究氧 空位迁移对忆阻效应的调控机制提供很好的平台。在此基础上，我们 做了有关纳米离子学方面的研究。 本文通过水热反应合成了W03纳米线。通过调节PH值、温度、 反应时间和硫酸钠用量获得了直径不同的纳米线。对纳米线进行了一 系列的表征，包括SEM、XRD等。利用光刻微加工工艺，构筑了基 于单根三氧化钨纳米线的纳米器件。对纳米器件进行了电输运测试， 并获得了以下结果： 1、在电极和纳米线是欧姆接触的情况下，对纳米线进行了电化 学掺杂。通过外加电场的作用，改变掺杂离子在纳米线内的轴向浓度 分布，调控纳米线的电导。 2、研究了水分子对纳米线忆阻性能的影响，进一步揭示纳米线 的忆阻机制。研究发现，随着相对湿度的降低，纳米线的电输运回滞 逐渐减少，纳米线的电导也会逐渐减少。 3、在高湿度的情况下，我们发现纳米线的电导有明显的突变， 由半导体型变为金属型。纳米线表面吸附的水分子，．吸引纳米线中的 自由电子。在纳米线和金电极接触界面感应出带正电荷的氧空位。使 原本为肖特基接触的界面转变为欧姆接触的界面。在欧姆接触的情况 下，纳米线的电导随着相对湿度的增加而降低。 关键词：三氧化钨纳米线；氧空位；忆阻器；相对湿度；电输运性能 n Abstract Resistiverandomaccess or been memory(RRAMMemristors)has consideredas nonvolatile dueto its next—generation memory withCMOS read／writeandlow compatibility process，fast speed power memristivemechanismofthematerialisstill consumption．However,the under hinderstheindustrializationofRRAM．Research debate，which on mernrlstlvemechanlsm becomesthe toppnonty．Recently,oxygen ● 一 - ，一 ，一 vacanciesinoxidewhichthemainroleintheRRAM play havebeen ismorefavorable widelyaccepted．Non-stoichiometricW03 energetically thans