ga2o3zro2一维纳米线的构筑及其性能研究.pdfVIP

中文摘要 中文摘要 IIIIlIMllllllll)llllll)illllll)lllllllbllI Y2568664 随着纳米科技的发展，人们对新型半导体纳米材料研究的进一步深入，发现 金属氧化物半导体纳米材料具有一系列新颖的光学，电学以及热学等特性。金属 氧化物半导体纳米材料成为一种具有重要应用前景的功能器件材料，成为纳米材 料研究的又一热点。一维金属氧化物半导体纳米材料，具有一些新的特性，其研 究具有更加重要的意义。由于静电纺丝法具有技术简单，高效无污染，成本低等 优点，所以本论文通过静电纺丝技术和模板技术相结合的方法分别制备具有一维 纳米结构的Ga203和Zr02纤维。 制备过程中，分别以硝酸镓和硝酸锆为原料，聚乙烯吡咯烷酮为模板，通过 静电纺丝的方法制备Ga203和Zr02一维纳米纤维。并利用X射线衍射分析 吸收／漫反射光谱(UV-VisDRS)、荧光光谱(PL)等表征手段对纳米纤维的结构及 性质进行表征，此外还对制备的纳米材料在小分子检测方面进行了研究。 在Ga203