半导体器件噪声频域和时域分析新方法的研究.pdf

摘要 I 摘 要 噪声是电路、器件，以至于其他自然和人造系统中普遍存在的物理现象，对 其研究既具有科学意义，又有实用价值。经过近一个世纪的研究，人们在几乎所 有类型的电子材料、电子元器件和电子整机中都可以观测到噪声的存在，电噪声 具有丰富的形式和内容。对电噪声的研究将拓宽和加深对噪声的理解。本文将近 年发展的信号处理方法应用于半导体器件噪声的分析，并探讨其在可靠性表征方 面的应用。 半导体器件噪声的传统分析方法是频谱分析。频谱的形状参数是一类广泛使 用的频谱参数。但是通过频谱参数不能够全面刻画噪声的特性，其原因如下：首 先器件噪声存在多种成分，它们在频谱中可能会相互掩盖，从而阻碍了某些噪声 成分参数的提取；其次随着噪声成分的增多，频谱形状参数的提取日益困难，而 且误差越来越大，严重影响了噪声分析结果的精度；最后随着器件工艺的改进、 新型器件的出现以及噪声分析手段的提高，人们在越来越多的器件中发现了非高 斯、非线性、非稳态噪声的存在，这些噪声成分是功率谱分析方法所不能描述的。 基于上述原因，器件噪声需要采用频谱参数在内的多