铝薄膜和铅膜的电子生长褪火对铅薄膜稳定性的影响、铅薄膜中电子态及利用stm进行原子操纵的研究.pdfVIP

摘要 铝蔫朝斯阵台薄膜的电子生长、褪火对铝薄膜隐定性的影响、 铝满膜中电子态及利用sTM进行原子操纵的研究 摘要 本文的工作主要是利用分子束外延技术，扫描隧道显微镜和角分辨光电子能 谱研究铝薄膜的电子生长，褪火对铅薄膜的影响，铅薄膜中电子的量子阱态，以 及利用sTM对原子进行巨量操纵。 在利用两步生长法制备原子量级上平的铝薄膜的研究中，我们首先利用 系统铝薄膜的I临界厚度为4ML，通过分析指出薄膜中电子的量子阱态对薄膜的稳 定性起很大的作用，利用传输运动和漏斗效应讨论了薄膜生长的动力学途径，利 用电子生长模型从能量的角度解释了临界厚度。从生长的过程，我们利用传输运 动和漏斗效应解释了薄膜的临界厚度，传输运动和漏斗效应相互竞争使得当覆盖 度达到4ML时薄膜形成。从电子生长的角度看，薄膜中电子的量子阱态，界面处 的电荷转移，界面诱导的弗里德尔振荡三个因素决定薄膜的稳定性，于是薄膜超 过某一厚度后稳定，随后稳定厚度的薄膜以一定的周期振荡，超过此厚度稳定薄 膜的厚度为临界厚度，振荡中相对稳定的厚度是幻数厚度。我们实验得到，铝硅 系统的临界厚度为4ML，此结果与uPs的结果正好相符。 在si(111)一7×7上生长铅的实验中，我们研究了褪火和