过渡金属n、mn掺杂纳米zno的制备及性能研究.pdfVIP

摘要 ZnO作为一种宽带隙半导体材料，具有比较高的激子束缚能(60meV)和禁带宽度 (3．37 eV)。ZnO优异的热稳定性和灵活性使得其在光电探测器、气体传感器、生物传 感器、太阳能电池、陶瓷等方面的潜在应用很广泛。向宽禁带半导体材料中引入过渡金 属元素，可以明显改变ZnO的光学、电性和磁学性质。Ni和Mn属于第ⅧB族过渡金 属，具有丰富的电子和与Zn2十近似的离子半径，很容易进入到ZnO的晶格中，进而对 基体材料的性能进行调控。本文采用沸腾回流法成功制备了Ni掺杂、地1掺杂和Ni、 结构、形貌，以及掺杂元素在ZnO晶格中的化学价态；利用紫外．可见吸收光谱(Uv-vis) 和光致发光光谱(PL)进而研究了样品的光学性质；对样品进行了室温铁磁性能分析 (F1’FM)，探究了掺杂样品的磁性质。 1．采用沸腾回流法制备了Ni掺杂(Ni：ZnO)纳米粉体，考察并确定了合成的最佳 实验参数。研究了不同掺杂浓度的Ni：ZnO样品的结构、形貌、光学和磁学性质。结果 表明，Ni以Ni2十的形式存在于ZnO的晶格中，导致衍射峰红移，晶胞参数减小，但是 ZnO的六方纤锌矿结构没有改变。掺Ni后，样品的形貌由纺锤体结构交为棒状，长度 和直径略微增大。Ni：ZnO样品的最大吸收波长红移，紫外发光峰没有明显的变化；由 于氧空位缺陷(Vo)浓度的减少和非辐射过程的增加，导致500～650rim的绿光强度减 弱甚至猝灭。3m01％Ni：ZnO样品表现出室温铁磁性，是由于束缚磁极哥的形成；掺杂 浓度较大时，样品呈现顺磁性，是由相互靠近的Ni2+-Ni2+产生反铁磁性耦合所致。 度样品的结构、形貌、光学和磁学性质。结果表明，在Mn：ZnO中Mn元素以+2价态存 nlTl、直径200l刊的纺锤形变为 在。掺杂后样品的形貌发生了明显的变化，由长约600 粒径200 样品的禁带能量降低，最大吸收波长红移。掺杂样品在,-,383nn．1处的紫外发光峰没有明 显变化，位于500--650nln范围的绿色发光射强度减弱，位于450ntn处的一蓝光发射峰 增强。掺杂浓度为1m01％的样品表现出微弱的铁磁性，随掺杂浓度的增大，样品的铁 磁性受压制，顺磁性加强。 结果表明，共掺杂后样品的形貌，由颗粒较大的纺锤形逐渐过渡为短小的棒状和颗粒状 III 结构。各样品在～383 am处均有一较强的紫外发光峰，纯ZnO有一强度较弱的绿色发射 峰，随掺杂浓度的增大，绿色发光峰的减弱甚至猝灭。0．5 m01％的样品表现顺磁性。 关键词：ZnO纳米粉体；掺杂：制各；表征；光学性能；磁性能 IV Abstract zinc a exciton of60 Thesemiconductormaterial bindhagenergy oxide(ZnO)haslarge meVandadirect、Ⅳideband of3．37eV．Duetoitsexcellentthermal and gap stability toformdifferent has in flexibility nanostructures，itpotentialapplications of intothe ceramics．Thein扛oducfion sellsors，biosensors，solarcells，and