铁和锰的硅物纳米结构在硅衬底上的外延生长及其xps研究.pdfVIP

EPITAXIAL GROWTH AND XPS ANALYSIS OF IRON AND MANGANESE SILICIDES ON SILICON SURFACE Author: Shi Gao-Ming Supervisor: Prof. Zou Zhi-Qiang Specialty: Physics Instrumental Analysis Center Shanghai Jiao Tong University Shanghai, China February, 2013 万方数据 万方数据 万方数据 铁和锰的硅化物纳米结构在硅衬底上的外延生长及其XPS 研究 摘 要 铁和锰的硅化物都具有丰富的物理性质，在光电器件、光纤互连、红外探测 器和热电等方面有着巨大的应用潜力。本文使用分子束外延方法成功在 Si(111) 和Si(110)表面制备出铁和锰的硅化物纳米结构，使用STM 和XPS 对其进行了分 析研究，探讨了生长参数对铁硅化合物在 Si(111)衬底上生长的影响，表征了铁 硅化合物的电学性质，分析了铁硅化合物和锰硅化合物的电子结构，得出以下结 论： （1）沉积温度在 600 ℃~800 ℃时几种铁硅化合物能够共存。铁硅化合物 的形核密度随着温度的升高而减小，随束流的增大而增大，其形核过程符合传统 的形核理论。在沉积温度为~700 ℃时，多边形平板状岛从p (2×2)相转变为c(8×4) 相。选取最佳的生长参数时(沉积温度~775 ℃，束流为0.0067 MLmin-1，沉积厚 2 度为~1.7 ML) ，可以得到面积较大的c(8×4)相，其面积超过1μm 。I- V 曲线表明 c(8×4)相和正三角形铁硅化合物岛都为半导体性，其禁带宽度分别为~0.8 eV 和 ~0.9eV ，而棒状铁硅化合物岛为金属性。 （2 ）XPS 结果表明，铁硅化合物短暂暴露于大气环境后会被氧化为铁氧化 合物，经过曲线拟合计算出铁硅化合物被氧化的比例为~47 % 。铁硅化合物纳米 结构的Fe 2p 3/2 和2p 1/2 峰分别出现在706.9 和719.7 eV，较金属铁向高结合能方 向的化学位移为0.2 eV 。铁硅化合物的Si 2p 3/2 峰(98.9 eV)较体相Si 的Si 2p 3/2 峰 (99.2 eV) 向低结合能方向的化学位移(0.3 eV)，表明在铁硅化合物形成过程中Si 的化学环境发生了变化。 （3 ）STM 图像表明，MnSi 薄膜厚度为~0.9 nm ，表面为 3  3 重构，MnSi1.7 纳米线长500~1500 nm，宽16~18 nm，高~3 nm 。XPS 结果表明两种锰硅化合物 的Mn 2p 谱图相近。由于马德龙势能，自旋-轨道裂分后Mn 2p 1/2 和2p 3/2 峰的结 合能分别为649.4 和638.4 eV，较金属态Mn 向低结合能方向的化学位移为~0.5 万方数据 eV 。在短暂暴露于空气中后部分MnSi 薄膜和MnSi1.7 纳米线会被氧化，从而形 成氧化层。经过