cu（ⅰ）属有化学气相沉积前驱物的合成与表征.pdfVIP

摘要 在超大规模集成电路制造技术中，研究新一代的金属内连线具有重要的意 义。由于金属铜电阻值低、抗电迁移性好等优点将全面取代现在集成电路中～直 使用的金属铝。铜薄膜的金属有机化学气相沉积(MOCVD)是制备连续、均匀、 具有良好阶梯覆盖率的高质量铜金属薄膜的一种被推崇的工艺之一。然而前驱物 成与应用成为MOCVD前驱物研究的重点。 本论文在参考史克兰无水无氧操作线的基础上，改建、组装了一套无水无氧 金属有机配合物合成装置。结合本课题的实际情况，分别选择了COD、CPE、 分析，主要结果如下。 一种较好的MOCVD的前驱物。 MPa 下缓慢蒸发去溶剂、25。C油浴加热减压升华后得到的淡黄色固体。由1H—NMR 这可能使得化学气相沉积过程中常伴有少量的Cu(h缸)2副产物生成。 6C油 绿色粘稠固体可能是含有环戊二烯二聚体的混合物，该推测在后续的DSC和 才开始发生热裂解，热稳定性较适当，很有可能适合作为化学气相沉积铜薄膜的 反应前驱物。 本论文工作还同时进行了2一甲氧基丙烯生产中有关体系的共沸点研究。利用 基于精馏原理的加压共沸点测定装置，测定了2一甲氧基丙烯(MPP)与甲醇、丙 酮二元体系在减压、常压及加压条件下的共沸点数据，并对数据进行了关联。从 关联的结果可知，其共沸组成与共沸温度、压力的对数与共沸温度的倒数均呈良 好的线性关系，计算结果与实验值符合良好。随着压力的降低，这两个二元体系 中MPP的含量都增加，说明在减压条件下更利于MPP的分离和提纯。特别是 MPP．丙酮体系，在49．7 工业化过程中共沸混合物的分离、提纯，以及共沸精馏、反应精馏等工艺与装置 的研究与设计提供了重要的基础数据和参考依据。 关键词：铜(I)前驱物，合成与表征，l，5-环辛二烯，环戊烯，环戊二烯，共沸 点，2．甲氧基丙烯 Abstract Chemical conformal thinfilmsis VaporDeposition(CVD)ofcopper required forthe metallizationof tofill multilayeredintegratedcircuits(ULSI)．Theability ratioholes a suchas hi曲一aspect Chemical requirestechniqueMetal—OrganicVapor towardthe and Deposition(MOCVD)．Specifically,researchgeared synthesis identificationofthevolatilemetal copper(I)precursors， AstandardSchlenklinehasbeen and theMOCVD designedconstructed，and precursors(hfac)Cu(I)(alkene)，where been p