γ-射线辐射法备纳米硫族化合物及其高分子复合材料.pdfVIP

摘要 摘 要 本论文将一种新兴的合成纳米材料的方法，Y一射线辐射法，拓展到水体系、 以及它们与聚合物如聚丙烯腈、聚丙烯酰胺、聚醋酸乙烯酯等形成的半导体／聚 合物纳米复合材料。并成功地实现了纳米硫族化合物的形貌控制。 1．通过选择不同极性的硫源，对合成的CdS进行物相控制。发现极性强的 硫源如Na：S：O，有利于立方相CdS的生成，随着硫源极性的降低越来越有利于六 方相CdS的生成；另一方面利用CS，在Y．射线辐照下可以产生硫的活性中问体 s’的特性，以CS，为硫源制得结晶很好的纳米PbS和CuS，而在此之前室温制 得的PbS和CuS多为非晶或含有非晶成分。并且通过选择不同的溶剂，实现了 纳米粒子分散性的调节。 外根据Y一射线辐照非水体系同样可以产生具有强还原性的溶剂化电子的理论，把 Y一射线辐射法推广到乙二胺体系，并成功地制备了分散性较好的纳米PbSe。由 于乙二胺体系特别适用于从某些难溶于水的盐出发制备易被氧化的纳米粒子，本 法将有利于扩大Y．射线辐射法的适用范围。 3．利用常温常压下Y．射线可以同时引发聚合物聚合和盒属硫族化合物形成 的特性，实现了～步法制备包埋型金属硫族化合物／聚合物纳米复合材料，成功 地控制了无机分散相如CdS、PbS和CdSe的生长，有效的防止了纳米粒子的团 聚。 4．提出并建立了软．硬转换模板法制备低维纳米复合材料。常温常压下一步 合球。这种软-硬转换模板兼有软模板和硬模板的优点：不仅易获得，还可限制 无机纳米晶定向生长，得到取向性很好的纳米线。并且通过改变反应体系可控 ’＼ 制复合材料的形貌和尺寸。／ ， Abstract methodhasbeen extendedto T-Irradiation successfully synthesizechalcogenides fe and CdS，ZnS，PbS，CuS，CdSe，PbSe，Cu2，。Se acetate)have been in solutionor solution．The ofas— synthesizedaqueous nonaqueous morphology hasbeen controlled． preparedchalcogenidessuccessfully Theformationof with and becontrolled CdS wurtzitestructurecan sphalerite differentsulfursourcesindifferent and sulfurSOUrCeS using solvents．Roughly,the with to solventsless tend the wurtzite those polarity producehexagonalphase，while with to thecubic theother strong