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第27卷第1期 苏州大学学报(自然科学版) VoL27No．1
OFSOOCHOW SCIENCE Jan．201l
2011年1月 JOURNAL UNIVERSITY(NATURALEDITION)
CHF3等离子体刻蚀SiCOH低k薄膜的机理分析
崔进，刘卉敏，邓艳红，叶超
(江苏省薄膜材料重点实验室，苏州大学物理科学与技术学院，江苏苏州215006)
摘要：通过对SiCOH低k薄膜刻蚀后的表面状态分析、等离子体空间活性基团分析，并通过调节刻蚀时的
离子轰击能量，从实验上研究了碳氟等离子体刻蚀SiCOH低后薄膜的基本过程，发现刻蚀过程中SiCOH薄膜
刻蚀的主要因素，符合Sankaran的碳氟等离子体刻蚀SiO：薄膜模型．在等离子体空间的cF2基团浓度较低、F
基团浓度较高时，并且施加给待刻蚀薄膜的偏置功率较高时，SiCOH薄膜表面沉积的C：F薄膜层较薄，有利于
等离子体空间的F基团和离子轰击薄膜的能量传递到SiCOH薄膜表面，从而使SiCOH薄膜表面的F、Si反应
几率增大，实现SiCOH薄膜的有效刻蚀．
关键词：SiCOH薄膜刻蚀；CHFs等离子体；双频电容耦合放电
中图分类号：0484 文献标识码：A 文章编号：1000—2073(2011)01—0048—04
on ofSiCOHlow-kfilms
Analysisetching byCHFs
dual-frequencycapacitivelycoupledplasma
Cui Chao
Jin，LiuHuimin，DengYanhong，Ye
ofThin
(School Scienceand Films，SoochowUniv．，Suzhou215006，China)
ofPhysics Technology，JiangsuKeyLaboratory
characteristicsofSiCOHlowdielectric in
Abstract：The the
etching constant(10w-k)filmsCHF≈
60MHz／2MHz thesurfacea-
dual-frequencycapacitivelycoupleplasma(CCP)wasinvestigated．By
onSiCOHlow-后films on and
after
nalysis etching．theopticaldiagnosticdischargeplasmabyadjus-
theions theSiCOHlow-kfilms behaviorisfound
bombardmentoil surface．the to
ting energy etching
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