直拉硅单晶中氧沉淀诱生缺陷的透射电镜与研究.pdf

摘 要 随着信息社会的不断发展，微电子工业对国民经济发展所起的作用越来越 大。半导体硅材料是微电子产业的基础材料，也是信息技术产业的支柱材料，在 国家的经济、国防和科技现代化进步方面起着举足轻重的作用。因此，研究硅材 料中杂质和缺陷的相互作用，以及热处理时间、温度、气氛和应力对缺I辑生成动 力学和热力学的影响，对提高集成电路的产率，促进整个微电子产业的发展和进 步有着重大而现实的意义。 本文主要通过透射电镜研究直拉硅(氩气氛下生长单晶样品、氮气氛下生长 单晶样品、高压(109Pa)热处理单晶样品、重掺杂单晶样品、快速热处理单晶样 品)中氧沉淀及其扩展缺陷的形态、密度和分布随热处理时间、温度、气氛和应 力的关系，主要取得以下成果： 首先，本文系统地研究了高压(1GPa)对氧沉淀及其扩展缺陷形成的影响，探 讨硅材料中微缺陷形成的微观机制。结果表明：1)在高压(109pa)下经过4500C， 10dx时处理过的样品中有很高密度的球形极小直径氧沉淀稳定生成，表明高压可 以在很大程度上改变氧沉淀的形态；2)四探针电阻仪测试表明，450。C，高压热 处理可以促进热施主的生成和提高其生成速率，表明高压可以在很大程度上改变 热旌主的生成熟力学和动力学。这在实验上表明，极小直径的氧沉淀与热旋主生 成有密切关系。但是，研究发现，650。C，大气压下熟处理lO分钟就可以完全消 除所有样品中的热施主，这表明，高压和大气压下热处理样品中生成的热施主消 除特性是一致的。并且，氮杂质对热施主的生成和消除没有显著的影响：3)研究 发现，9570c，高压处理5d,时的样品中生成了氧沉淀相关的位错，1130。C，高 压处理5d,时的样品中，有尺度为50rim的氧沉淀生成，表明高压有利于小直径氧 沉淀的生成。本文通过分析高压产生的应力对点缺陷生成的影响，对高压热处理 过程中产生高密度，小尺寸氧沉淀以及促进热施主的生成做了详细的解释。研究 表明，施加在样品上的应力可以在很大程度上改变硅片体内自阃隙硅原子和空位 的浓度，从而大大影响直拉硅中微缺陷生成的热力学和动力学过程。 随后，本文研究了氮掺杂对直拉硅中缺陷生成的影响。研究表明：1)氮掺杂 可以改变原生氧沉淀的形态，透射电镜研究表明，在原生样品中有高密度的粒径 只有5rim的多边形原生氧沉淀生成；2)氮掺杂可以在高温和低温过程中促进氧沉 淀的生成；3)氮杂质可以影响硅样品中氧化诱生层错的热力学和动力学过程，研 究发现，NCZ样品中，随着热氧化时间的增长，层错的尺寸不断减小，而在CZ 中，随着热氧化的进行，层错尺寸随着热氧化时间的增长而增加。 最后，本文通过透射电镜系统地研究了在重掺硼样品和轻掺硼样品中，快速 热处理工艺对氧沉淀和随后的扩展缺陷生成的影响。研究发现：1)在经历过RTP 预处理的重掺硼样品中，有高密度的氧沉淀和层错产生，但是没有经历过RTP快 速热处理的重掺硼样品中，只有位错产生。而对普通的轻掺样品来说，经历过RTP 快速热处理的样品中有位错产生，但是在未经历RTP预处理的样品中，有氧沉淀 相关位错产生；2)研究发现，只有在轻掺杂且经历高温RTP预处理的样品中才有 洁净区生成，而在其它样品中，则没有洁净区生成。这表明，高浓度的硼掺杂原 子对氧沉淀的促进作用，以及RTP预处理过程中空位体浓度的增加是导致不同缺 陷产生的主要原因。 关键词：直拉硅，高压，氧沉淀，热施主，氮掺杂，快速热处理，重掺硼 来经作肴、导师f霹l ■垒文公寿 Abstract basedsiliennwas the of on Microelectronics development high-speed driving inthe