固体表面动力学过程的第一原理理论的分析.pdfVIP

摘要 本论文首次向国内计算物理学界详细地介绍了目前国际上一种最先 initio Molecular 进的计算方法，从头计算分子动力学方法(ab Dynamics method)【赵字军等，《物理学进展》，第18卷，第1期，47—75(1998)]。 同时对硅表面、III-V簇半导体表面、金属表面等几种典型体系的表面动 力学过程，用从头计算分子动力学方法和离散变分Xa【(DV-xa)方法进行 了第一原理的模拟计算。 从头计算分子动力学方法有机地结合了第一原理计算和分子动力学 技术，在真实的离子动力学中引入了表征在不同能级间跃迁速率的电子虚 拟动力学，使基于局域密度泛函理论的第一原理计算直接应用于统计力学 模拟成为可能，是第一原理研究动力学过程的理想工具。本文详细介绍了 构造，以及在平面波基和上述两种赝势基础上的具体实现的过程和程序框 吼． restoration)是指表面重构得到消除，结构回 ～～≮所谓表面复位(surface 复到理想晶格表面的过程。我们用从头计算分子动力学通过完全的第一原 理动力学对s和se在si(100)面的吸附以及吸附引起的表面复位作了较为 系统的研究，发现S和Se在Si(100)表面的吸附结构对覆盖度很敏感，从 而导致了实验结果的复杂性，给出了以前实验结果之间不一致的原因。对 于Se的吸附结构，在0．25ML和0．50ML的时候，为(2x2)的吸附结构，在 1．OML时确证能很好地消除重构，形成(1x1)结构。S在Si(100)面吸附时 结构就显得更为复杂，在O．25ML时，S在桥位的吸附不稳定，在体系的 弛豫中自发地转移到穴位附近，形成2x2结构。在O．50ML时，s也自发 地从桥位迁移到弯曲dimer结构的顶位附近，同样形成2x2结构。这一结 果表明弯曲dimer结构由于高低原子间的电荷转移，使其硅原子具有一定 浙江大学博士学位敝 的离子性，形成了0．50ML下s在顶位附近吸附的结构，改变了认为二度 位才是最佳吸附位的观点。在覆盖度增至1．0ML时，验证了s能破坏硅 dimer结构，使Si(100)2xl复位至(1x1)结构。 同时我们抓住吸附能在GaN薄膜生长中对Mg掺杂的决定作用，用 从头计算分子动力学和离散变分方法计算了Mg和Ga在GaN薄膜(oooll 面的两种不同极性下的吸附，间接地给出了Mg的掺杂与GaN薄膜的极 性的关系。计算发现+C结构下Ga的吸附能比Mg要大约2．09eV，在GaN 薄膜生长条件下估算。Mg的吸附几率仅为Ga的10气10一。对于．C结构 而言，Mg与Ga的吸附能差别不大，仅为0．50eV，Mg的吸附几率为Ga 的10一～10～。通过价电荷分布的分析知，由于．C极性中，表面的N只有 一个悬挂键，而+C极性下有三个悬挂键，因此Ga的吸附能在+C下比较 大，比．C下大1．5leV。对于Mg来说，由于其离子性很强，而且只有两 个价电子，对衬底的N的悬挂键是一个还是三个影响不大，吸附能变化 很小，因此导致了Mg在．C结构下掺杂相对容易。 另外，我们用离散变分方法通过坐标优化的方法研究了乙烯在Ni(111) 表面脱氢解离的可能的反应途径。给出了乙炔在各个吸附位的吸附结构， 并在假定乙烯在脱氢前没有迁移的基础上，对各种可能的反应途径作了模 拟研究，发现乙炔在平行桥位的吸附结构不稳定，通过1．24A的平移和30 度的旋转的耦合，迁移到垂直桥位，迁移过程中只有0．02eV的势垒。同 时给出了迁移途径中乙炔分子的碳碳键长，碳氢键角等结构参数在迁移过 程中的变化：。工一 √ ABSTRACT AbinitioMolecular of也emost and Dynamics(MD)method，oneimportant