金属团簇和锰掺杂稀磁半导体中几何结构与电子性质第一性原理及研究.pdf

摘 要 团簇上的吸附与反应，稳定几何结构及电子结构性质，其主要内容如下： 第一章分为三部分。第一部分主要介绍了密度泛函理论的一些基本原理和有 关的新进展。第二、三部分分别详细介绍了本文中所采用的计算方法一LAPw(线 性缀加平面波方法，倒空间)与DMol3(分子、团簇的局域密度泛函计算方法，实空 间)程序包的理论基础和主要特征。 第二章研究了过渡金属元素锰(Mn)掺杂稀磁半导体I闪锌矿结构的 GaI-5Mn。As，Gal一。Mn。N和Cdp。Mn。Te， 及其电子结构性质。我们的计算结果表明，在稀磁半导体中，原子的磁矩依赖于 体系的磁基态，并可通过host原子轨道与掺杂原子Mn轨道之间的电子占据情况 行于Mn原子的3d轨道磁矩。我们还指出：可利用在稀磁半导体中各原子的磁矩 取向强烈依赖于非局域的芯态之间的自旋劈裂的正负号这一点特性，通过对较浅 measurementofthe 的芯态能级的自旋极化光电子能谱(spin—polarizedphotoemission shMiowCOre state)测量方法来测量稀磁半导体中host原予的区域磁性质。