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详解逆变器电路工作原理 这里介绍的逆变器（见图1）主要由MOS 场效应管，普通电源变压器构成。其输出功率取 决于MOS 场效应管和电源变压器的功率，免除了烦琐的变压器绕制，适合电子爱好者业余 制作中采用。下面介绍该逆变器的工作原理及制作过程。 1. 1. 11..电路图 逆变器系统电路图 2. 2. 22..工作原理 这里我们将详细介绍这个逆变器的工作原理。 2.1. 2 2.1. 2 22..11..方波信号发生器（见图22） 图2 方波信号发生器 这里采用六反相器CD4069构成方波信号发生器。电路中R1是补偿电阻，用于改善由于电 源电压的变化而引起的振荡频率不稳。电路的振荡是通过电容 C1充放电完成的。其振荡频 率为 f=1/2.2RC.图示电路的最大频率为：fmax=1/2.2×3.3×103×2.2×10-6=62.6Hz;最小频率 fmin=1/2.2×4.3×103×2.2×10-6=48.0Hz.由于元件的误差，实际值会略有差异。其它多余的反 相器，输入端接地避免影响其它电路。 2.2 2.2 22..22场效应管驱动电路 图3 场效应管驱动电路 由于方波信号发生器输出的振荡信号电压最大振幅为0~5V，为充分驱动电源开关电路，这 里用TR1、TR2将振荡信号电压放大至0~12V.如图3所示。 2.3MOS 2.3MOS 22..33MMOOSS场效应管电源开关电路 下面简述一下用C-MOS 场效应管（增强型MOS 场效应管）组成的应用电路的工作过程（见 图4）。电路将一个增强型P沟道MOS 场效应管和一个增强型N沟道MOS 场效应管组合在 一起使用。当输入端为低电平时，P 沟道MOS 场效应管导通，输出端与电源正极接通。当 输入端为高电平时，N 沟道MOS 场效应管导通，输出端与电源地接通。在该电路中，P 沟 道MOS 场效应管和N沟道MOS 场效应管总是在相反的状态下工作，其相位输入端和输出 端相反。通过这种工作方式我们可以获得较大的电流输出。同时由于漏电流的影响，使得栅 压在还没有到0V，通常在栅极电压小于1到2V 时，MOS 场效应管既被关断。不同场效应管 其关断电压略有不同。也正因为如此，使得该电路不会因为两管同时导通而造成电源短路。 图4MOS场效应管电源开关电路 由以上分析我们可以画出原理图中MOS 场效应管电路部分的工作过程（见图5）。工作原理 同前所述。这种低电压、大电流、频率为50Hz 的交变信号通过变压器的低压绕组时，会在 变压器的高压侧感应出高压交流电压，完成直流到交流的转换。这里需要注意的是，在某些 情况下，如振荡部分停止工作时，变压器的低压侧有时会有很大的电流通过，所以该电路的 保险丝不能省略或短接。 MOS场效应管电路部分的工作过程 3 3 33、制作要点 电路板见图6。所用元器件可参考图7。逆变器用的变压器采用次级为12V、电流为10A、初 级电压为220V 的成品电源变压器。P沟道MOS 场效应管（2SJ471）最大漏极电流为30A， 在场效应管导通时，漏-源极间电阻为25毫欧。此时如果通过10A 电流时会有2.5W 的功率消 耗。N 沟道MOS 场效应管（2SK2956）最大漏极电流为50A，场效应管导通时，漏-源极间 电阻为7毫欧，此时如果通过10A 电流时消耗的功率为0.7W.由此我们也可知在同样的工作电 流情况下，2SJ471的发热量约为2SK2956的4倍。所以在考虑散热器时应注意这点。图8展示 本文介绍的逆变器场效应管在散热器（100mm×100mm×17mm）上的位置分布和接法。尽管 场效应管工作于开关状态时发热量不会很大，出于安全考虑这里选用的散热器稍偏大。 逆变器电路板 逆变器所用元器件 逆变器位置分布和接法 4. 4. 44.. 逆变器的性能测试 测试电路见图9.这里测试用的输入电源采用内阻低、放电电流大（一般大于100A）的12V 汽 车电瓶，可为电路提供充足的输入功率。测试用负载为普通的电灯泡。测试的方法是通过改 变负载大小，并测量此时的输入电流、电压以及输出电压。输出电压随负荷的增大而下降， 灯泡的消耗功率随电压变化而改变。我们也可以通过计算找出输出电压和功率的关系。但实 际上由于电灯泡的电阻会随受加在两端电压变化而改变，并且输出电压、电流也不是正弦波， 所以这种的计算只能看作是估算。 逆变器测试电路 以负载为60W 的电灯泡为例：假设灯泡的电阻不随电压变化而改变。因为 R 灯