原子层淀积高介电常数栅介质层反应机理量子化学及研究.pdf

复旦大学硕士学业论文 摘要 摘要 本文用量子化学的密度泛函方法对高介电常数栅介质的原子层淀积初始反 应机制作了详细的研究。研究的高介电常数介质有A1203、Hf02和Zr02， 2×1衬底以及AI(CH3)3在Si(100)-2xl上的吸附反应。 吸附过程也显得相当容易，过渡态为由Zr或Hf，C1和O原子组成的四员 环结构，反应副产物HCI无法自发从表面脱附，所以在ALD工艺中需要较 长的排气时间才能彻底带走HCl。 2×1表面，发现反应前体更容易在Ge原子上吸附，即Ge上的吸附能较 大。相反H20在Ge上的吸附能较低，并且在Ge上的吸附能垒要比Si高的 Hf-Si或Zr-Si大，而O原子与Si的键能则大于与Ge之间的键能。 一个．O．A1Me2．O．表面基团，随后再于邻近的羟基反应形成．O—A1Me—O一基团 放出CHn。通过两种不同位置吸附的比较发现在dimer问的吸附反应能垒 应不同。 3 复岜大学硕士学业论文