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- 2015-11-08 发布于安徽
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摘 要
论文深入的分析了堂曼签墨堡的塾篮堪拟问题,利用Matlab5·3
等计算机工具,用解三对角矩阵方程的递归算法,实现了pn结二极管
的一维求解,取得了比较满意的结果。离散和线性化了=维瞬态半导
体基本方程,并得到了其矩阵.矢量方程形式,同时还讨论了其求解的
方法。
佳对半导体器件数值分析方法和手段有深入分析的基础上,以
等计算机语言j解决了遭金量直缝晷的出现的如变量传递等多种难题,
实现适用于三角形网格划分二维空间的插值算法,开发了可以在
Windows操作系统下运行的一半导体器件模拟墼笪,使得在,Windows
下的器件模拟成为可能。
最后利用该软件实际模拟了电注入的埋沟CCD器件,详细讨论
了栅长,栅间隙宽度和埋沟深度等参数对该结构CCD的电荷容量和转
移效率的影响,同时,还分析了少子寿命对暗电流的影响。(模拟实例
表明器件模拟软件PISCES完全适用于对CCD的模拟夕一‘
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