用于无掩膜刻蚀微放电器的工艺和性能研究.pdfVIP

摘要 摘要 等离子体刻蚀技术因其较高的刻蚀速率、良好的方向性和材料选择性等优势 得到了广泛应用。但在传统的刻蚀加工中，等离子体作用于整个样品表面，需要 昂贵的设备及复杂的图形转移工艺来实现局域加工。近年来，许多研究者尝试将 等离子体限制在lmm以下的微结构中，可实现局部无掩膜刻蚀。然而，这些微等 离子体无掩膜刻蚀器件通常只能达到百微米的刻蚀分辨率，远不能满足更高精度 加工的需求。为此，我们提出了一种基于并行探针驱动的扫描等离子无掩膜体加 工方法，即将倒金字塔微放电器集成在扫描探针的针尖上，利用倒金字塔空心阴 极效应放电产生高浓度等离子体，并将其通过针尖尖端的纳米孔导出到样品表 面，实现亚微米量级的无掩膜扫描加工。 倒金字塔微放电器是无掩膜扫描等离子体刻蚀系统中的关键器件，主要包括 阳极金属Ni／聚酰亚胺(PI)绝缘层／阴极金属Ni三层结构，并且具有倒金字塔空心 阴极。本文研究了该微放电器的尺寸优化、工艺制备、测试系统搭建和性能测试， 实现了微放电器在SF6中稳定放电。 由于倒金字塔微放电器集成在探针上，这引起倒金字塔中电场的改变，从而 引起等离子体分布和性能的改变。因此，本文使用ANSYS软件对微