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硅纳米线阵列光阳极的制备及其光电转换性能研究
17 4 Vol. 17 ，No. 4
第 卷第 期 功能材料与器件学报
2011 8 JOURNAL OF FUNCTIONAL MATERIALS AND DEVICES Aug．，2011
年 月
文章编号:1007 － 4252 (20 11)04 － 0402 － 05
硅纳米线阵列光阳极的制备及其光电转换性能研究
1，3 2
，
吕文辉 张帅
(1． ， 524048 ;2 ．
湛江师范学院物理系 广东湛江 湛江师范学院科技处
广东湛江524048 ;3． 浙江大学硅材料国家重点实验室浙江杭州310027)
:
摘要 结合光刻和金属援助硅化学刻蚀法成功地制备出了用于光伏型光电化学池的图形化硅纳米
线阵列光阳极， 。
并表征和研究了其光电转换性能 扫描电子显微镜和漫反射光谱测试表明光阳极
， 300nm － 1000nm 5% 。
表面为多孔状 在 的光谱范围之内光反射率低于 基于该光阳极的光电化学
， 0 ． 33% 。 ， /
池具有明显的光响应 光电转换效率为 通过光电转换过程分析 光生载流子在硅纳米线
电解液界面上的复合可能是导致较低光转换效率的主要原因。
: ; ;
关键词 硅纳米线阵列光阳极 光电化学池 光电转换
中图分类号:TB839 文献标识码:A
Fabrication and energy － conversion properties of Si nanowire arrays photoanode
LV Wen-hui1，3 ，Zhang Shuai2
(1． Department of Physics ，Zhanjiang Normal College ，Zhan jiang ，524048
2 ． Science and technology office ，Zhanjiang Normal College ，Zhan jiang ，524048
3． State Key Lab of Silicon Materials ，Zhejiang University ，Hangzhou ，310027)
Abstract :The patterned Si nanowire arrays as photoanode for photoelectrochemical cells have been suc-
cessfully fabricated by combining photolithography and
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