Ni掺杂MgF2电子结构和光学性质的第一性原理研究.pdfVIP

第28卷第3期 原 子 与 分子 物理 学报 V01．28No．3 2011年6月 JOURNAL0FATOMICANDMOLECULARPHYSICS Jun．2011 doi：103969／j．issn．1000-0364．2011．03．028 Ni掺杂MgF2电子结构和光学性质的 第一性原理研究 李宗宝1，冯云光1，王霞2，周 勋3，杨卫强2 1．铜仁学院物理与电子科学系．铜仁554300；2．铜仁学院生化系，铜仁554300； 3．贵州师范大学理学院，贵阳550001 摘要：采用基于密度泛函理论 DFT 的第一性原理平面波超软赝势方法计算了过渡金属Ni不同比例 16．67％．12．5％，8．33％，6．25％ 掺杂的MgFz晶体的几何结构、电子结构和光学性质．通过对比发现，由 于Ni原子的掺入，体系的禁带宽度减小且能带中出现中间杂质带．另外，介电函数虚部以及吸收光谱图 中均出现双峰结构。结合前人的计算给出了详细的物理机制．上述现象，揭示了Ni掺杂MgF2体系在光学 元器件方面的潜在应用． 关键词：密度泛函理论 DFT ；第一性原理；Ni掺杂MgF2 中图分类号：0641 文献标识码：A 文章编号：1000-0364 201I 03—0551—06 Electronicstructuresand of opticalproperties Ni工Mgl一工F2 calculations byfirst—principle LI Yun-Guanl，WANGXia2，ZHOUXun3，YANG Zong-Ba01，FENG Wei—Qian92 of andElectronic 554300-China； 1．DepartmentPhysics Science,TongrenUniversity,Guizhou of 554300．China1 2．DepartmentChemistry．TongrenUniversity，Guizhou of andElectronic Normal Science，Guizhou 550001．China 3．DepartmentPhysics University，Guiyang structures ofthe Abstract：Theelectronic and different opticalproperties percent 16．67％，12．5％，8． arecalculatedfromthe method．Theresultsshowthatthe 33％，6．25％ Ni—dopedMgF2 First-principle band decreasesandthereisamiddlebandinthe withthesubstitutionofNifor com- gap gap Mg．The the dielectricfunctionand of arealsostudied．The plex absorptionspectrumNi。Mgl一。F2 double-peak structureisfoundinthe ofdielectricfunctionand ofwhich the imaginarypart absorptionspectrum．All indicatethat hasthe in Ni。Mgl--xF2potentialapplicationsopticalsystems． functional Keywords：densitytheory DFT ，first—principles，Ni：Mg：F2 窗口材料的基本材料及集成光学和光纤通讯等领 引 言 域的重要光学镀膜材料．另外作为非常规催化载 近年来，得益于宽禁带激发，可调固体激光器 体，也使得氟化镁成为人们十分关注的研究对 得到了长足发展．在工业，医学和军工项目中得到 了广泛应用．氟化镁 MgFz 由于其独特的光学性脱氯作用，可以使催化过程的选择性得到更好的控 质，成为固体激光器发光介质及光学棱镜、透镜和 制．此外，从环保的角度出发，在有机化合物的液 收稿日期：2010-07-30 基金项目：贵州省教育厅自然科学基金项目 黔教科座机电话号码和座机电话号码号 作者简介：李宗宝 1982一 ，男。山东胶南人。讲师．主要研究领域为过渡金属掺杂第一性原理计算．Dmaih 万方数据 态脱硫、消除氧化氮以及催化氧化CO等有较好的 相互作用势其中Ni，Mg．F各原于的价电于组态 4』2．2 催化应州W而氟化钱及其相关材料越米越受到 分别为352P6d6 s。矿3s2，2，∥．原予的初持 ^们的重视”“为开发其优异性能，氟化镁的谓