测控电路-12第十章-逻辑和数字控制电路.ppt

第十章　逻辑控制电路 二值可控元件驱动电路 可编程逻辑器件 第十章　逻辑控制电路 一、功率开关驱动电路 晶体管直流负载功率驱动电路 场效应管直流负载功率驱动电路 晶闸管交流负载功率驱动电路 二、继电器与电磁阀驱动电路 三、步进电动机驱动电路 异步电动机的二值控制电路 步进电动机驱动电路 一、功率开关驱动电路 分类： 按照电路中所采用的功率器件类型分类，常见的有晶体管驱动电路、场效应管驱动电路和晶闸管驱动电路等类型。 按照电路所驱动的负载类型分类，常见的有电阻性负载驱动电路和电感性负载驱动电路等类型。 按照电路所控制的负载电源类型分类，常见的有直流电源负载驱动电路和交流电源负载驱动电路等类型 （一）晶体管 直流负载 功率驱动电路 (I)当控制信号Ui为低电平时，I b较小, 晶体管V截止，负载ZL中电流IL为0； (II)当控制信号Ui为高电平时，I b较大, 晶体管V导通（工作于饱和区），负载ZL中电流 IL = (Ec－Uce) / ZL，Uce为晶体管V集电极与发射极间的饱和电压降。 （一）晶体管直流负载功率驱动电路 设计要点: 合理确定Ui、R与V的电流放大系数? 值之间的数值关系，充分满足 I b ? I L / ?，可确保V导通时工作于饱和区，以降低V的导通电阻及减小功耗。 （二）场效应晶体管 直流负载 功率驱动电路 用于功率驱动电路的场效应晶体管称为功率场效应晶体管。功率场效应晶体管是电压控制器件，具有很高的输入阻抗，所需的驱动功率很小，对驱动电路要求较低。功率场效应晶体管具有较高的开启阈值电压，有较高的噪声容限和抗干扰能力。 场效应晶体管大多数为绝缘栅型场效应管，亦称MOS场效应管。功率场效应晶体管在制造中多采用V沟槽工艺，简称为VMOS场效应管。其改进型则称为TMOS场效应管 图8-2　场效应晶体管功率驱动电路 a)VMOS场效应管电极　b)场效应管驱动电路 （三）晶闸管交流负载功率驱动电路 交流负载的功率驱动电路，通常采用晶闸管来构成。晶闸管有单向晶闸管和双向晶闸管两种类型。 一、导通条件 二、关断条件 晶闸管导通条件： 在阳极A与阴极K之间加正向电压，同时在门极G与阴极K之间加正向电压（触发），这样阳极A与阴极K之间即进入导通状态。晶闸管一旦导通，只要阳极A与阴极K之间的电流不小于其维持电流IH，门极G与阴极K之间是否还存在正向电压，对已经导通的晶闸管完全没有影响。 与单向晶闸管相比较，双向晶闸管的主要区别是： ①在触发之后是双向导通的； ②触发电压不分极性，只要绝对值达到触发门限值即可使双向晶闸管导通。 实用中应注意: 如果驱动的是感性负载，必须设置合理的关断泄流回路，一方面可保护开关器件，另外也可起到消除对外电磁干扰的作用。 二、继电器与电磁阀驱动电路 继电器广泛用于生产控制和电力系统中，具有接触电阻小、流通电流大和耐压高等优点，至今仍无法用无触点器件取代 对继电器或接触器的驱动，实际上是对其励磁线圈电流通断的控制。继电器励磁线圈所需的励磁电源有直流与交流两种。 三、步进电动机驱动电路 步进电动机简称步进电机，可在开环条件下十分方便地将数字系统的脉冲数转变成与其相对应的角位移或线位移，因而是控制系统中常用的自动化执行元件。 电源控制信号用来在必要时使各相电流为零，以达到降低功耗等的目的。 （一）单电压功率放大电路 图8-8　绕组电流I L的波形 a）Ui频率低时　b）Ui频率高时 同时增大外接电阻RC和电源电压Ec，可使步进电机转速高时的输出转矩显著提高，但同时使功耗急剧增大 功耗的增加一方面降低了效率，使电源体积庞大；另一方面引起电气部件发热，增大系统故障的发生率。为此，发展了双电压、斩波稳流等驱动电路 （二）斩波稳流式功率放大电路 图8-9　斩波稳流式功率放大电路 （二）斩波稳流式功率放大电路 图8-9　斩波稳流式功率放大电路 （二）斩波稳流式功率放大电路 图8-9　斩波稳流式功率放大电路 经D触发器引入Up信号的主要目的是给定超声斩波频率，以避免单纯由R6上的电压波动来控制V1通断引入的不规则噪声。 第二节　可编程逻辑器件(PLD) PLD与定制器件的主要区别是可编程性，其逻辑功能可由用户构造或设置。 使用PLD设计优点 灵活，研制周期缩短，空间尺寸减小，降低系统故障率。 PLD从其出现至今，经历了由PROM、FPLA到PAL和GAL的发展过程。 图8-11　通常与门和PLD与门的图形符号 可编程阵列逻辑PAL （一）PAL器件结构 （二）PAL器件的类型 （三）PAL器件的应用实例 （一）PAL器件结构 （二）PAL器件的类型 主要分