集成电路设计_课程设计总结.docVIP

CCZU 数理学院电子科学与技术专业 《集成电路设计》课程设计 总 结 专业： 电子科学与技术 班级： 091 学号： 姓名： 指导教师： 时间： 2013/1/8~/2013/1/13 一、设计题目： 画出2输入端与非门的原理图，用L-Edit软件画出3微米硅栅N阱CMOS工艺的版图，列出工艺中需要的薄膜制备工艺和性能参数。 二、原理图 2输入端与非门的原理图 三、设计规则Si栅CMOS 集成电路的设计规则 3微米Si栅CMOS 电路设计规则 最小尺寸 单位：微米 序号 名 称 工作电压3-6V 1 扩散区 1.1 P+，N+扩散区宽度 5.0 1.2 P+-P+，N+-N+ 间距 5.0 1.3 同电位的P+与N+间距 0 1.4 P阱边缘的P+区环绕宽度 7.0 1.5 P阱边缘到P+外边缘间距 7.0 1.6 P阱边缘的P+区与外界N+间距 11 1.7 P阱与P阱间距 12 1.8 隔离区（保护环）宽度 0 2 沟道、栅 2.1 沟道长度 3.0 2.2 栅氧化层覆盖源漏 1.0 2.3 栅端超出隔离区长度 1.0 2.4 栅覆盖源漏 0 2.5