《基于SOlCMOS工艺的LVDS驱动器设计》.pdfVIP

半导体集成电路 SemiconductorIntegratedCircuits DOI：10．13290／j．cnki．bdqs．2014．05．002 基于 SOlCMOS工艺的 LVDS驱动器设计 卜山，周玉梅，赵建 中，刘海南 (中国科学院 微 电子研 究所，北京 100029) 摘要 ：基于绝缘体硅 (SOI)0．35Ixm工艺实现 了一款 满足 IEEE 1596．3和 ANSI／TIA／EIA一 644工业标准的低压差分信 号 (LVDS)驱动器芯片。全芯 片分为预 驱动模 块、输 出驱动模 块、 共模反馈模块、使能模块和偏置模块。提 出了一种具有低输入电容输 出驱动模块电路结构，经仿 真验证可有效降低 LVDS预驱动模块 30％的功耗 ，同时降低 29％的信号延时。芯片利用共模反馈 机制控制输 出信号的共模 电平范 围，通过环路补偿保证共模反馈 电路的环路稳 定性。芯片使 用 3．3V供 电电压 ，经 Spice仿真并流片测试 ，输 出信 号共模 电平 1．23V，差分输 出电压 347mV， 在 400Mbit／s数据传输速率下单路动 态功耗 为 22mW。 关键词 ：低压差分信号传输 (LVDS)；绝缘体硅 (SOI)；共模反馈 ；低输入 负载；环路补偿 中图分类号：TN432 文献标识码 ：A 文章编号 ：1003-353X (2014)05—0326—04 DesignoftheLVDSDriverBasedon theSO1CM OSProcess BuShan，ZhouYumei，ZhaoJianzhong，LiuHainan (Instituteof肘croefec￡roncs，ChineseAcademyofSciences，Beijing100029，China) Abstract：Alowvoltagedifferentialsignaling(LVDS)driverbasedon0．35 msilicononinsula— tor (SOI)CMOSprocesswasdemonstratedwiththefullstagecomplianceofIEEE 1596．3andANSI／ TIA／EIA一644standard．TheLVDS driverisdivided intothefollowingmodulesaspre—drivermodule， output-drivermodule，common mode~edback module，enable module and biasmodule．An output— drivermodulecircuitwithlow inputcapacitancewasintroduced，simulationtestsshow 30％ reduction in powerand29％ reduction in signaldelayofthepre—drivermodule．Theoutputoffsetvoltagewascon- trolledbythecommonmode~edback module，andthecompensationwasintroducedtomakethefeed— backloopstable．ThetestresultsoftheLVDSdrivershow thattheoutputoffsetvoltageis1．23V ，the differentialoutputvoltageis347mV andthedynamicpowerofthedriveris22mW atthe400Mbit／sda— tarateandthe3．3V suppliedvoltage． Keywords：low voltagedifferentialsignaling (LVDS)；silicononinsulator (SOI)；common mode~edback；low inputcapacitance；loopcompensation EEACC ：2570D