新数字电子技术 教学课件 王秀敏主编3 3.1_半导体基础知识.pptVIP

内容提要 本章主要阐述了半导体材料以及PN结的基础知识，在此基础上介绍最常用的半导体器件—半导体二极管、双极型三极管、场效应管的工作原理和开关特性。半导体材料的基本特性是理解半导体器件工作原理和开关特性的基础，本章第一节重点讲述了半导体材料的基础知识以及PN结的结构和原理，第二、三、四节则分别介绍半导体二极管、双极型三极管、场效应管的工作原理和开关特性。 教学目标 理解和掌握半导体材料的特性和PN结的原理及特性。 理解和掌握最常用的半导体器件——半导体二极管、双极型三极管、场效应管的工作原理和开关特性。 掌握半导体器件——半导体二极管、双极型三极管、场效应管的应用。 3.1 半导体基础知识 自然界中的物质从形态上一般可以分为气体、液体、固体、等离子体。在固体材料中，按照其导电性能的不同，可以分为导体、半导体和绝缘体。 有些物体，如钢、银、铝、铁等，具有良好的导电性能，我们称它们为导体，其电导率为106～104（Ω·CM）-1； 与此相反，有些物体如玻璃、橡皮和塑料等不易导电，我们称它们为绝缘体，其电导率小于10－10（Ω·CM）-1； 还有一些物体，如第IV族的元素（如锗、硅等）、砷化镓及大多数的金属氧化物和金属硫化物，它们的导电性能介于导体和绝缘体之间，称之为半导体，其电导率在104～10－10（Ω·CM）-1之间。 半导体可以分为元素半导体和化合物半导体，元素半导体位于元素周期表IV族。 最常见的元素半导体是硅和锗，硅是集成电路中最常用的半导体材料，最外层有4个电子，它们的物理和化学性质主要由最外层的这4个电子决定，被称为价电子。 硅晶体中，每个硅原子有4个相邻硅原子，每两个相邻原子之间有一对共用的电子，它们和2个原子核都有吸引作用，形成共价键，共价键的作用使得硅原子紧紧地结合在一起，形成晶体。 图3.1.1形象地说明硅原子靠共价键结合成晶体的平面示意图和立体结构图（为金刚石结构）。 半导体也可以是化合物。 最常见的化合物半导体是由III族元素和V族元素所构成的III-V族化合物，比如GaAs（砷化镓）、InSb（锑化铟）、GaP（磷化镓）、InP（磷化铟）、AlAs（砷化铝）等，其中GaAs是其中应用最广泛的一种化合物半导体。 III－V族化合物也是通过共价键结合的晶体，其结构和硅、锗非常相似，每个III族原子周围为4个V族原子，每个V族原子周围为4个III族原子，每个V族原子把一个电子转移给一个III族原子，形成V族的正离子和III族的负离子， 因此它们最外层都具有4个价电子，相邻的离子间共有电子对，形成共价键。 从上面可以看出，它们既靠共价键结合，又具有离子性，因此和同一周期内的IV族元素半导体相比，其结合强度更大，比如Ge共价键上的电子摆脱束缚所需要的能量为0.78eV，而GaAs则需要1.43eV的能量。 当然半导体也可以是三元素化合物或者更复杂，比如AlxGa1-xAs，这里的x是低原子序数元素的组分。 大多数半导体都是晶体，它们内部的原子都按照一定的规律排列着。 但半导体并不一定是单晶，多晶、非晶材料也具有半导体特性，比如多晶硅、非晶硅等。 3.1.1 本征半导体 半导体的导电性能决定于杂质的种类和数量，因此把晶体中不含有杂质原子的材料定义为本征半导体。 本征半导体是没有杂质原子和缺陷的纯净晶体，完全依靠半导体本身提供载流子。 在本征半导体中，比如硅，如果其共价键中的一个价电子获得足够的能量，受激发挣脱原子核的束缚成为自由电子，同时会在原来的共价键上留下一个缺位，称之为空穴 这时候相邻原子的价电子比较容易离开它所在的共价键而填补到这个空穴中来，使该价电子原来所在共价键中出现一个新的空穴，这个空穴又可能被相邻原子的价电子填补，再出现新的空穴。 价电子填补空穴的这种运动相当于带正电荷的空穴在运动，因此称为空穴运动，并把空穴看成是一种带正电荷的载流子。 因此在本征半导体中存在两种类型的载流子：电子和空穴。 本征半导体中的电流很大程度上取决于导带电子和价带空穴的数目，这些载流子的浓度是半导体的一个重要参数，这是半导体和导体在导电机理上的本质区别。 自由电子在运动过程中，如果遇到空穴，便可能会填充进去从而恢复一个共价键，一个“电子－空穴”对便消失了，这一过程称为“复合”。 热能使自由电子和空穴在本征半导体中总是成对出现，同时又不断复合，在一定温度下达到动态平衡，载流子便维持一定数目。 载流子数目随温度的升高而增多，相应导电性能也就越好。因此，半导体器件性能受温度的影响很大。 在本征半导体中，每产生一个电子，同