新数字电子技术 教学课件 王秀敏主编3 3.2+半导体二极管.pptVIP

3.2 半导体二极管 半导体二极管在电子电路中应用非常广泛，是诞生最早的半导体器件之一，它在许多电路中起着重要的作用，下面将讲述二极管的基本知识及其应用。 3.2.1 二极管的结构与类型 利用PN结的单向导电性，在PN结上加上引线和封装，就成为一个二极管。它在电路中的符号如图3.2.1(a)所示，P区为正极，N区为负极。 二极管种类繁多，分类方法也有很多种。根据制造工艺可以分为点接触型、面接触型和平面型三大类，它们的结构示意图分别如图3.2.1（b）、（c）、（d）所示。? 点接触型二极管 其制作是用一根很细的金属丝压在光洁的半导体晶片表面，通过脉冲电流使触丝一端与晶片牢固地烧结在一起，形成一个“PN结”。特点是PN结面积小，相应结电容小，允许的电流小（不超过几十毫安），用于小电流的整流以及检波和变频等高频电路。 面接触型二极管 其结构如图3.2.1(c)所示，PN结面积大，允许通过较大的电流（几安到几十安），主要用于交流大电流的整流电路。 平面型二极管 其结构如图3.2.1(d)所示，主要用于集成电路制造工艺中，PN结面积可大可小，结面积大的时候，可做大功率整流和高频整流，结面积小的时候，相应结电容也小，用于开关电路中。 根据所用的半导体材料，二极管可分为硅二极管（Si管）和锗二极管（Ge管）； 根据其不同用途，可分为整流二极管、检波二极管、稳压二极管、开关二极管、光电二极管、变容二极管等等； 根据封装形式可以分为塑封及金属封等二极管； 根据功率可以分为大功率、中功率及小功率等二极管。 3.2.2 二极管的伏安特性 二极管最重要的特性就是单向导电性。在电路中，电流只能从二极管的正极流入，负极流出。 二极管是由PN结构成，因此半导体二极管的伏安特性曲线和PN结伏安特性曲线相似，如图3.2.2所示为锗二极管和硅二极管的伏安特性曲线。 当二极管处于正向偏置的时候，其伏安特性曲线处于第一象限。 当二极管处于反向偏置的时候，其伏安特性曲线处于第三象限。 当二极管处于正向偏置的时候，由图3.2.2可以看出，在正向电压超过某一数值后，才会有明显的正向电流，这个电压被称为开启电压（又称为死区电压、门坎电压），一般用Von表示，通常情况下，硅二极管的导通电压为0.5V左右，而锗二极管的导通电压为0.1V左右。当偏置电压大于Von时候，电流随电压的变化呈指数增加。根据理论推导，二极管的伏安特性曲线满足下面的公式： 这里IS 为反向饱和电流，V 为二极管两端的偏置电压，VT =kT/q 称为温度的电压当量，k＝1.381×10－23J/K为玻耳兹曼常数，q=1.6×10-19C 为电子电荷量，T 为热力学温度。例如在室温（即T=300 K）时，有VT=26 mV。 二极管在反向偏置的时候，由图3.2.2可以看出，在反向偏置电压小于击穿电压VBR的范围内，反向电流非常小，并且基本不随反向电压而变化，此时的反向电流也称反向饱和电流IS，比如硅二极管的反向电流在纳安（10－9）数量级，锗二极管的反向电流在微安级（10－6）。 当反向偏置电压大于击穿电压时，二极管将被击穿，其反向电流会突然急剧增加，如图3.2.2所示。 3.2.3 二极管的主要参数 半导体二极管的主要参数包括反向击穿电压VBR、最大反向工作电压VRM、最大整流电流IF、反向电流IR、正向压降VD、最高工作频率fmax和结电容Cj等，分别介绍如下： 1.反向击穿电压VBR和最大反向工作电压VRM 当二极管反向偏置电压大于某一反向电压值的时候，反向电流急剧增加，二极管的单向导电性能被破坏，甚至会损坏二极管，这时的反向电压值称为反向 击穿电压VBR。为保证二极管安全工作，在实际工作时，最大反向工作电压VRM通常只按反向击穿电压VBR的一半计算。 2.最大整流电流IF 二极管长期连续工作时，将允许通过的最大半波整流电流的平均值称为最大整流电流IF，主要决定于散热条件和PN结的面积，如果整流电流超过IF，那么二极管将会被烧坏。 3.反向电流IR 在室温下，在规定的反向电压下，通常是最大反向工作电压下的反向电流值，称为反向电流IR。反向电流越小，说明二极管的单向导电性越好。反向电流受温度的影响很大，随温度的增加呈指数规律增加，因此二极管在高温运行的时候要特别注意，硅二极管比锗二极管在高温下具有较好的稳定性。 4.正向压降VD 二极管工作在规定的正向电流下，其正向电压降称为正向压降VD。小电流硅二极管的正向压降在中等电流水平下，约0.6～0.8 V，而锗二