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第二章 逻辑门电路 目标 在这一章里,你将学习: 2.1 概述 2.2 半导体分立器件的开关特性 2.3 逻辑门电路 2.4 TTL集成逻辑门电路 2.5 CMOS集成逻辑门电路 2.6 不同类型门电路的接口问题 2.7 逻辑门电路的应用 第二章 逻辑门电路 内容提要 本章主要介绍逻辑电路的基本逻辑关系和逻辑门电路;TTL与非门的典型电路结构、工作原理、传输特性和主要参数;CMOS集成逻辑门电路。 2.1 概述 1.正逻辑和负逻辑 在逻辑电路中,输入输出电位的高低用电平表示,高电平是一种状态,低电平是另一种状态;若高电平表示有信号,用1表示,低电平表示没有信号,用0表示,则称为正逻辑;反之若低电平表示有信号,用1表示,高电平表示没有信号,用0表示,则称为负逻辑。 2.标准高电平和标准低电平 在数字电路中,高电平或低电平都是表示一定的电压范围,而不是一个固定不变的数值。将高电平的下限值称为标准高电平,用USH表示,低电平的上限值称为标准低电平,用USL表示;在实际电路中应满足高电平UH≥USH,低电平UL≤USL。 2.2 半导体分立器件的开关特性 2.2.1 二极管的开关特性 2.2.2 晶体管的开关特性 2.2.3 MOS管的开关特性 2.2.1 二极管的开关特性 1.二极管的静态开关特性 二极管的静态开关特性是指二极管在正向直流电压或反向直流电压作用下稳定导通或截止时呈现特性。 2. 二极管的动态开关特性 二极管的动态开关特性是指信号电压突然变化时,二极管从一种工作状态转换到另一工作状态时的转换特性。转换过程有两种,即从导通到截止和从截止到导通 ,图2-2所示为二极管的动态开关特性。 2.2.2 晶体管的开关特性 1.晶体管的静态开关特性 晶体管的输出特性曲线有三个区域——放大区、截止区、饱和区。在数字电路中,晶体管主要工作在饱和区和截止区,并在截至区和饱和区之间通过放大区进行快速转换,晶体管的这种工作状态称为开关工作状态。 2.晶体管的动态开关特性 与二极管相似,晶体管工作在开关状态时,其内部电荷的存储与消散都需要一定的时间,因此集电极电流的变化总是滞后于输入电压ui 的变化,所以晶体管由截止状态变为饱和状态或由饱和状态变为截止状态都需要一定的时间。如图2-4所示。 2.2.3 MOS管的开关特性 1.MOS管的开关作用 MOS管金属-氧化物-半导体场效应晶体管的简称,和晶体管一样可以当作开关使用。 2.MOS管的开关时间 双极型晶体管由于饱和时有存储电荷存在,所以其开关时间较长。而MOS管因为只有一种载流子参与导电,不存在存储电荷,因此不存在存储时间,因而它的开关时间较小。用PMOS管也可以构成开关电路,不同的是PMOS管的开启电压为负值。 2.3 逻辑门电路 2.3.1 二极管门电路 2.3.2 晶体管门电路 2.3.3 组合逻辑门电路 2.3.1 二极管门电路 1.二极管与门电路 与门电路的输入和输出波形如图2-7所示. 2.二极管或门电路 2.3.2 晶体管门电路 2.3.3 组合逻辑门电路 1.复合门 (1)与非门 与非门是与门和非门的组合,其逻辑符号如图2-11a所示,逻辑表达式为 (2)或非门 或非门是或门和非门的组合,其逻辑符号如图2-11b所示,逻辑表达式为 (3)与或非门 与或非门是与门、或门、非门的组合,其逻辑符号如图2-11c所示,其逻辑表达式为 (4)异或门 异或门电路的特点是两个输入信号相同时,输出为0,相异时输出为1,其逻辑符号如图2-11d所示,逻辑关系表达式为 2.正逻辑和负逻辑的相互转换 对同一电路,可以采用正逻辑,也可以采用负逻辑,而逻辑电路本身输出与输入的逻辑关系,并不因为采用正、负逻辑的不同而改变。但是对同一种电路,用正、负逻辑去分析,它的逻辑功能截然不同,当然逻辑真值表也不同。 正负逻辑符号如表2-6所示。 2.4 TTL集成逻辑门电路 2.4.1 TTL与非门的工作原理 2.4.2 TTL与非门的外特性及有关参数 2.4.3 其他类型的TTL逻辑门电路 2.4.4 TTL系列数字集成电路简介 2.4.5 TTL门电路使用中应注意的问
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