公共格栅像素CdZnTe探测器的能谱特性.pdfVIP

第 卷第 期 强 激 光 与 粒 子 束 , 27 7 Vol.27 No.7 年 月 , 2015 7 HIGH POWERLASERANDPARTICLEBEAMS Jul. 2015 公共格栅像素CdZnTe探测器的能谱特性* 1 1 1 1 2 2 杨国强 , 肖沙里 , 马跃东 , 张流强 , 曹玉琳 , 陈宇晓 ( , ; 1.重庆大学 光电技术及系统教育部重点实验室 重庆 400044 , ) 2.中国工程物理研究院 电子工程研究所 四川 绵阳 621900 : 。 摘 要 使用同一块 晶体设计制作了像素大小不等的 公共格栅像素 探测器 通 CdZnTe 4×4 CdZnTe , 。 过能谱测定实验及权重势和电场仿真 研究了公共格栅像素 CdZnTe探测器中的小像素效应和引导效应 结 : , “ ”, ; 果表明 由于小像素效应较弱 较大的像素不能有效消除 空穴拖尾 能谱特性较差 由于晶体内部以及像素和 , 。 , 公共格栅间隙表层的电荷损失 较小的像素能谱特性也较差 在像素宽度为 0.8mm时 得到了对 662keV 137 的 Cs放射源的最佳能量分辨率 3.80%和峰谷比5.65。适当增大公共格栅偏压可以引导电子向阳极像素运 , , 。 动 促进电荷的完全收集 改善探测器的能谱特性 过大的偏压则会造成像素和公共格栅间表面漏电流的增 , 。 。 加 探测器的能谱特性也会恶化 在像素宽度为 0.8mm时最佳偏压为-60V : ; ; ; ; 关键词 半导体探测器 公共格栅像素结构 小像素效应 能量分辨率 CdZnTe 中图分类号: 文献标志码: : / TL816 A doi10.11884HPLPB201527.076001 , , 、 近年来 半导体核辐射探测器发展迅速 已经广泛应用于核物理学 射线及伽马射线天文学和核医学领