新集成电路制造工艺 教学课件 林明祥 第4章和第5章.pptVIP

5.4　光刻质量分析 5.4.3　针孔1)光刻掩膜版上有黑斑，阻挡了光线照射，使该区域上的胶膜未曝光，而被显影液溶解，经刻蚀以后便形成了针孔。2)操作过程中尘埃沾污，特别是在涂胶过程中，尘埃落到了胶表面，这样就起了阻挡光线的作用，形成针孔。3)感光剂中有颗粒状物质或灰尘，或者胶太稀薄，转速太快，使得胶膜过于薄而出现面积较大的针孔。4)硅片表面质量不好，有颗粒状凹坑，也会形成针孔。5)曝光不当。 5.5　习题 1.什么叫光刻？光刻的目的是什么？2.光刻工艺有何要求？3.光刻胶分哪几类？它们有何原则性区别？4.涂胶前如何进行增粘处理？5.涂胶的要求是什么？6.曝光有哪几种形式？7.叙述光刻工艺流程。8.前烘和坚膜的目的是什么？9.负性胶和正性胶的显影有何区别？10.光刻有哪些质量问题？ 4.4　离子注入 4M12.tif 4.4.3　离子注入设备 4.4　离子注入 图4-13　显示一个典型的离子注入机的主要结构(资料来源：美国Varian公司) 1.离子源 4.4　离子注入 图4-14　显示两种主要的离子源的弧光室设计a)Freeman式离子源　b)Bernas式离子源 2.离子分离器 4.4　离子注入 图4-15　离子分离器的结构 4.4　离子注入 4M15.tif 3.质量分析器 4.4　离子注入 图4-16　质量分析器工作原理图a)离子以r为曲率半径的圆周运动　b)质量分析器原理图 4.加速器 4.4　离子注入 图4-17　显示加速器和质量分析器及离子源在离子注入机内的相对位置 4.4　离子注入 4M17.tif 5.扫描器 4.4　离子注入 图4-18　显示两种常用的离子束扫描装置a)以垂直与水平等两组平行板扫描器来进行离子束的扫描b)以机械性的圆盘运动，使离子束得以对整片晶片进行注入 6.电子簇射器 4.4　离子注入 解决的方法是在离子注入时，设法将积聚在硅片表面的电荷减少。这就由电子簇射器来完成。它的原理是利用电子簇射器产生的二次电子，把晶片上的正电荷中和掉。 4.4　离子注入 图4-19　电子簇射器 4.4.4　离子注入工艺技术 4.4　离子注入 图4-20　沟道效应示意图 4.4　离子注入 图4-21　三种常见的抑制“沟道效应”发生的工艺示意图a)硅晶片倾斜一个角度　b)在结晶硅表面铺上一层由非晶系结构所组成的材料　c)破坏表面硅原子的排列 4.5　习题 1.举例证明扩散现象。2.叙述扩散的基本条件。3.半导体杂质的扩散有哪两种形式？4.在扩散中，杂质分布有哪两种形式？这两种杂质的分布有何不同？5.扩散系数与哪两个系数有关？哪个为主？6.什么叫结深？它由什么因素决定？7.什么叫方块电阻？它的大小取决于哪些因素？8.写出液态源硼扩散及磷扩散的化学方程式。9.如何测量结深和方块电阻？10.影响扩散均匀性和重复性的原因是什么?11.定性地叙述击穿电压问题。 4.5　习题 12.离子注入有哪些特点？13.简述离子注入工作原理。14.离子注入的设备有哪些？15.如何抑止沟道效应？ 第5章　光　　刻 5.1　光刻的工艺要求5.2　光刻胶的组成材料及感光原理5.3　光刻工艺5.4　光刻质量分析5.5　习题 5.1　光刻的工艺要求 1.高分辨率2.高灵敏度 5.1　光刻的工艺要求 图5-1　KPR的光谱灵敏度 5.1　光刻的工艺要求 5M1.tif 3.精密的套刻对准4.大尺寸硅片的加工 5.1　光刻的工艺要求 5.低缺陷 5.2　光刻胶的组成材料及感光原理 5.2.1　光刻胶的组成材料1.感光剂(1)聚乙烯醇肉桂酸树脂系列 5.2　光刻胶的组成材料及感光原理 M.tif M.tif (2)聚烃类——双叠氮系列(3)邻一叠氮醌系列2.增感剂 5.2　光刻胶的组成材料及感光原理 M.tif M.tif 3.溶剂5.2.2　光刻胶的配制5.2.3　感光原理1.负性胶感光原理2.正性胶感光原理 5.3　光刻工艺 5.3.1　衬底材料的检查与处理1.平面度2.洁净度5.3.2　增粘处理5.3.3　涂胶1)胶膜厚度应符合要求，胶膜均匀，胶面上看不到干涉花纹；2)胶层内应无点缺陷(如针孔、回溅斑等)；3)胶层表面没有尘埃、碎屑等颗粒。5.3.4　前烘5.3.5　曝光1.光源2.曝光质量 5.3　光刻工艺 1)由于光刻胶对光的强烈吸收而引起曝光不足。2)衬底对光的反射。3.曝光方式(1)光学曝光 5.3　光刻工艺 5M2.tif 53.tif 5.3　光刻工艺 5M3.tif (2)电子束曝光1)扫描式电子束曝光 5.3　光刻工艺 图5-4　扫描式电子束曝光装置示意图 5.3　光刻工艺 5M4.tif 2)投影式电子束曝