新集成电路制造工艺 教学课件 林明祥 第13章和第14章.pptVIP

14.1.3　失效的规律及简单计算 14M1.tif 3.常用的可靠性参数和术语(1)可靠度 14.1.3　失效的规律及简单计算 (2)积累失效率(3)失效密度(4)平均寿命(5)瞬时失效率4.失效率等级划分 14.1.3　失效的规律及简单计算 表14-1　失效率等级划分 14.2　工艺筛选  14.2.1　工艺筛选目的  14.2.2　工艺筛选总类 1.按筛选性质来分(1)检查筛选(2)密封性筛选(3)环境应力筛选(4)寿命筛选2.按生产过程来分(1)生产线工艺筛选(2)装调筛选 14.2.3　工艺筛选项目确定  14.2.4　工艺筛选的注意事项 1)温度循环、热冲击和高温储存筛选，所用高温烘箱的温度应严格控制好，否则会产生温度失控而引起大批器件损坏。2)变频振动筛选，不应出现共振现象。3)功率老化时，由于插座和设备可能有故障，要经常检查，以免产生假老化现象。4)大功率器件进行筛选时，要注意散热问题，使外壳温度在75°C左右。5)用氟油进行气密性检漏时，要注意氟油是否对某些器件内的涂料有影响。 14.3　可靠性试验 (1)使试制阶段的产品达到预定的可靠性指标(2)对产品的制作过程起监视作用(3)根据试验制定出合理的工艺筛选条件(4)通过试验可以对产品进行可靠性鉴定或验收(5)通过试验可以研究器件的失效机理 14.3.1　环境试验 1.机械振动试验2.机械冲击试验3.离心加速度试验4.高低温循环试验5.温度冲击试验6.潮湿试验7.外引线温度试验8.可焊性试验9.密封性试验 14.3.1　环境试验 表14-2　半导体集成电路总技术条件(SJ331-77) 14.3.1　环境试验 表14-2　半导体集成电路总技术条件(SJ331-77) 14.3.2　寿命试验 1.存储寿命试验2.工作寿命试验 14.3.3　特殊试验 1.盐雾试验2.低气压试验3.辐射试验 14.4　半导体器件失效分析  14.4.1　失效分析的目的和步骤  14.4.2　常见的失效模式 1.突然失效(1)开路1)键合：低劣的引线键合、有压点间化物、引线损坏、机械性过负荷。2)金属化：接触窗口未腐蚀净、金属化(铝条)断裂、操作时损坏金属化(铝条)、金属质量迁移。3)机械损伤：管芯破裂或完全破碎。4)短路：短路时过大电流流过器件内部或局部区域，使其被烧毁而开路。(2)短路1)氧化物缺陷：金属化渗入氧化物中。2)金属化：由于掩模板有缺陷而引起铝条短路。 14.4.2　常见的失效模式 3)键合：键合时引线相碰。4)机械损伤：管芯破裂。5)电迁移：氧化物破裂、过大的功率负荷造成元器件局部烧熔形成短路。6)外部材料：元件之间的架桥。2.断续失效1)开路：键合时金属丝未拉紧有松动；机械损伤主要指划片时有裂缝。2)电路：键合时金属丝相互碰接或管芯相碰；机械损伤时划片的裂缝；外部材料指松动的外部材料形成短路。3.退化失效 14.4.2　常见的失效模式 1)大的泄漏电流由沾污造成：在氧化物内、在氧化物上、在管壳上。2)阀电压漂移：在氧化物内、在氧化物-硅界面上。 14.4.3　失效的原因分析 1.表面沾污及氧化层缺陷2.金属化系统(1)机械损伤(2)氧化层台阶处铝层断裂(3)铝的电迁移(4)铝条的腐蚀(5)铝在硅中的固体溶解(6)键合影响3.装架与封装(1)烧结与粘片质量不佳(2)封装影响(3)保护层的影响 14.4.3　失效的原因分析 4.硅片晶体缺陷对可靠性的影响5.工作条件对可靠性的影响(1)电流引起的失效(2)电压引起失效 14.5　提高器件可靠性的措施  14.5.1　在版图设计中提高可靠性 1.金属布线问题2.热分布问题 14.5.2　工艺中提高器件可靠性 1.标准化2.应用数理统计3.合理使用和维护4.加强可靠性信息反馈 14.6　习题 1.半导体器件的可靠性含义是什么？2.研究可靠性的目的是什么？3.画出浴盆曲线图，并解释图上各段含义。4.工艺筛选的目的是什么？5.为什么要进行可靠性试验？6.可靠性试验有哪些内容？7.如何做失效分析？8.如何提高半导体器件的可靠性？ 13.3.3　键合质量要求和分析 表13-2　超声键合影响质量因素分析 (1)“脱键” 13.3.3　键合质量要求和分析 (2)压焊强度差(3)其他失效因素 13.4　表面涂敷 1.内涂料分类和性能2.内涂敷工艺操作 13.5　封装  13.5.1　玻璃封装 138.tif 13M8.tif 图13-8　二极管玻璃封装管壳结构图 13.5.1　玻璃封装 图13-9　硅玻璃封装二极管结构图 13.5.2　金属封装 1.套帽1)把沾好或烧结好管芯