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微电子学概论第二章 庄庆德 2003.8 第二章 半导体物理和器件物理基础 2.1 半导体及其基本特性 半导体的特点 半导体的特点 半导体材料 杂质能级 * * 导体　　　106－104 绝缘体　　10-10 半导体　　104－10-10 各种物质的电导率(Ω．cm)－１ 各种物质的电阻率(Ω.cm) 10-6 10-4 10-2 10-0 102 104 106 108 1010 1012 1014 1016 1018 银 半导体 镍 玻璃 电导率温度系数 杂质作用显著 正 ２种载流子 光电导效应 光电子效应 光生伏特效应 元素半导体（IV族） Si Ge 化合物半导体（III-V族） GaAs 多元化合物 AlGaAs 有机半导体 AlGaAs 硅晶体的平面结构 IV族元素， 外层电子４ 共价键 硅的金刚石结构: 面心立方 晶格常数：5.4?10-8cm 原子序号１４ 原子量２８ 熔点１４２０℃ 密度 2.33 原子密度：5?1022/cm3 2.2. 载流子 2.2.1 能带 单原子的能级 多原子的能级 分裂形成能带 导带 禁带 价带 满 满 空 空 1s 2s 2p 金属导体Eg=0 绝缘体Eg很大 10eV以上 半导体Eg适中 在0.1-5eV 典型半导体禁带宽度 Si 1.1 Ge 0.67 GaAs 1.43 本征激发：高电阻率 激发的概率 绝对温度 禁带宽度 EXP(-Eg/kT) 以硅为例，室温 kT=0.026eV Eg=1.1eV 所以 EXP(-Eg/kT)=3*10-19 很小。 每立方厘米有5E22原子 有1500个导带电子 本征激发特点 电子=空穴 室温下Si电子和空穴的浓度为 ni=1.5*1010/cm3 Si P Si Si Si Si B Si Si Si 很容易获得自由的 电子 P等V族元素提供这样的电子 施主杂质 很容易接受自由的电子 让这个空穴跑出去 B等III族杂质提供这样的空穴 受主杂质 施主能级 V族元素，P,As,Sb P 0.044eV 受主能级 III族元素B B 0.045eV 2.2.3 费米能级 电子占有几率为1/2的能级位置,是一个电子分布状态的指标 电子占有概率： f(E)=1/{1+exp[(E-Ef)/kT]} 当E=Ef时, f(E)=0.5 当E Ef时, f(E)接近1 当E Ef时, f(E)接近0 费米能级的位置 本征半导体，费米能级位于禁带的中央 Ef= Ei ，体现n=p 杂质半导体，费米能级偏离禁带的中央， N型半导体， Ef=kTln(Nd/ni)+Ei 费米能级位于禁带的上半部，Nd越大，距离Ei越远 P型半导体， Ef= - kTln(Na/ni)+Ei 费米能级位于禁带的下半部，Na越大，距离Ei越远 2.2.2 平衡载流子：处于热平衡状态下 电子 n= ni exp [(Ef-Ei)/kT ] 空穴 p= ni exp [(Ei-Ef)/kT ] 这里k波尔兹曼常数=1.38*10-23J/K 绝对温度 室温T=300, kT=0.026eV 例题：n型半导体，Ef距禁带中央0.4eV,求n,p 解： Ef-Ei=0.4eV， kT =0.026eV， ni=1.5*10 (cm-3 ) n= ni e [(Ef-Ei)/kT]= 1.5* 1010e(0.4/0.026) = 1.5* 1010*4.9*106=7.5*1016(cm-3) 非平衡载流子：处于非热平衡状态下，过剩载流子 例如 光激发 电子注入 如果去掉注入，逐渐复合, τ寿命 Δn=Δn0e(-t/ τ) 价带 导带 禁带 Ni（本征费米能级 n型 p型 高浓度 低浓度 迁移率 mobility 电场力　　　　f=qE 加速度　　　　a=f/m=qE/m 所以电子在真空中加速运动 晶体里，受到散射 做匀速运动 V=μE μ: 迁移率，单位cm2/vs 散射机理 晶格散射 杂质散射 + + 迁移率与什么因素有关 （1）半导体材料: InSb, 80000 GaA