溅射氧化耦合法合成W掺杂VO2纳米薄膜及性质与研究.pdfVIP

幕季天学 ∞呐垃翱～托 0 溅射氧化耦合法合成w掺杂V02纳米薄膜及其性质的研究 溅射氧化耦合法合成w掺杂V02纳米薄膜 及其性质的研究 摘要 V02薄膜作为一种温度相变特性的功能材料，具有较高的热电阻、 温度系数，一直被科学界广泛关注。当温度近68℃时，V02薄膜发生从 低温单斜结构向高温四方金红石结构的转变并伴随光学、磁学、电学 性质的可逆性突变，由于这种特性，使得V02薄膜具有广泛的应用。但 纳米薄膜具有一些更优异的性能。因此，寻求更简单的方法合成高质 量、低相变温度(室温附近)的V02纳米薄膜是近来V02薄膜的研究热 点。 研究表明通过对V02掺杂可以将相变温度降低到室温甚至室温以 纳米薄膜；首先，通过对不同氧化温度下样品的研究可知，W掺杂V02 纳米薄膜最佳氧化温度为430℃；其次，采用四探针测试仪测试了薄膜 在不同温度下的方块电阻，从而确定了V02和W掺杂V02纳米薄膜的相 变温度从68℃下降至40℃；然后，运用扫描电子显微镜(SEM)和X射线 光电子能谱仪(xPS)分别对薄膜的微观结构以及组分进行了分析；最 下的透过率并通过FilmWizard软件对薄膜的透过率的拟合，获得了薄 0麟 溅射氧化耦合法合成w掺杂v。：纳米薄膜及其性质的研究 膜的光学常数如：折射率(以)和消光系数(D随光电子能量但)变化的关系 曲线。根据电阻—温度曲线和XPS测试结果，认为W的掺杂量与薄膜相 变温度的变化量具有一定的线性关系；在W掺杂V02纳米薄膜中随着W 掺杂量的增加，薄膜的相变温度逐渐下降，但相变前后薄膜的电阻数 量级变化量和红外透过率改变量愈来愈不明显；W掺杂V02纳米薄膜的 光学折射率∽)和消光系数(D相比V02薄膜也发生有规律的变化。运用 公式分别计算出W掺杂V02纳米薄膜样品的能带，结果表明，随着W的 掺杂量的增加薄膜能带逐渐下降。 本论文也对溅射氧化偶合法(SOC)和目前常用的掺钨二氧化钒薄膜 的的制备技术进行了较为全面的介绍和比较。可以看出，溅射氧化偶 合法fSOC)对于其它制备技术来说，其突出优点是成本低、成膜率高、 操作简便、掺杂过程简单易行、利于仪器保护，而且其产品的各项性 能均较好。 关键词：V02；溅射氧化耦合；w掺杂V02纳米薄膜；光学常数；能带 雾季天学 呻■；目啦翱刊蹦，f 溅射氧化耦合法合成W掺杂V02纳米薄膜及其性质的研究 THE OF INVESTIGATIONR姬RICATIONAND PROPERTIESTO、^乙DOPEDNANOSCALE V02 THIN FILMSVIASPUTTERING OⅪDATIONCoUPLING METHoD ABSTRACT Itisknownthat Vanadium a dioxide(V02)thjll五1n1，asspecial如nctionalmaterial， which thermal resiStanCeand a钍racted coe衔cient，has possesseshigh temperature great attention．Thefilm areVersible trallS“ion盘omthemonoclinic displays