《三元Stannide相窄带隙半导体Na2MgSn的第一性原理计算.》.pdfVIP

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2015-11-23 发布于河南
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《三元Stannide相窄带隙半导体Na2MgSn的第一性原理计算.》.pdf

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Availableonlineatwww．sciencedirect．com 一 * Transaetionsof 镛 ScienceDirect NonferrousMetals SocietyofChina Press Trans．NonferrousMet．Soc．China24(2014)1853～1858 Www ．tnm sc．cn Firstprinciplescalculationonternarystannidephase narrowbandgapsemiconductorNa2M gSn Yi．、)lNG ．Qing—linXIA，Liu．xianPAN ，5(anYU 1．CollegeofMathematicsandComputerScience，KeyLaboratoryofHi曲PerformanceComputingandStochastic InformationProcessing(MinistryofEducation)，HunanNomralUniversity,Changsha410081，China； 2．SchoolofPhysicsandE1ectronics，CentralSouthUniversiyt,Changsha410083，China； 3．SchoolofElectricalandInofrmationEngineering，HunanIntemationalEconomicsUniversi Changsha410205，China Received20November2013；accepted30April2014 Abstract：Theelectronicstructures，chemicalbonding，elasticandopticalpropertiesoftheternary stannidephaseNa2MgSnwere investigatedbyusingdensity-functionaltheory(DFT)withingeneralizedgradientapproximation(GGA)．Thecalculatedenergyband stmcturesshowthatNa，MgSnisna indirectsemiconductormaterialwithanarrowbandgap0．126eV．Thedensityofstate(DOS) andthepartialdensityofstate(PDOS)calculationsshowthattheDOSneartheFermilevelismainlyfromtheNa2p，Mg3pandSn 5pstates．PopulationnaalysissuggeststhattherearesrtonglybondedMg—SnhoneycomblayersinN