脉冲形状时序对氢离子注入Kapton光学性能影响与研究.pdf

Classified Index: V416.5 U.D.C.: 620.197.6 Dissertation for the Doctoral Degree in Engineering EFFECT OF PULSE WAVEFORM SHAPES AND SEQUENCES ON OPTICAL PROPERTIES OF KAPTON AFTER HYDROGEN ION IMPLANTATION Candidate: Shi Jingwei Supervisor: Prof. Tian Xiubo Academic Degree Applied for: Doctor of Engineering Specialty: Materials Processing Engineering Affiliation: School of Materials Science and Engineering Date of Defence: September, 2012 Degree-Conferring-Institution: Harbin Institute of Technology 摘要 摘 要 采用氢等离子体浸没离子注入方法，研究不同的脉冲波形形状及方波注入顺 序条件下 Kapton-H 薄膜的光学性能变化，通过 Particle in cell （PIC ）数值模拟来 分析不同波形条件及方波注入顺序下氢离子束的通量密度-能量分布，利用 AFM 、 FTIR 和 XPS 分析不同波形形状和方波注入顺序下试样光学性能变化的机理。 本文自行研制了可输出脉冲方波和阶梯波的脉冲高压电源。采用全固态 Marx 发生器作为高压电路的主电路，通过独立控制每个放电 IGBT 开关的导通与关断， 产生了阶梯型的脉冲波形。在 IGBT 驱动电路设计中，采用 CD4013 和 CD4098 芯 片，实现了每个放电 IGBT 开关的单独可控，并采用设计的脉冲展宽电路，使控制 变压器的体积减小，同时脉冲展宽电路引入了反向脉冲栅压，提高了电路的抗干 扰能力和过流保护速度，使电源工作稳定。电阻负载及等离子体负载测试结果表 明，电源输出脉冲电压峰值30 kV，峰值电流20 A ，脉冲宽度 10-50 μs，可输出方 波、上升沿阶梯波、下降沿阶梯波及上升-下降沿阶梯波，阶梯数目可达 15 阶。电 源工作稳定，能够可靠抵抗短路和“打火”情况下的大电流冲击。 PIC 数值模拟结果显示，方波脉冲条件下，随着上升沿时间的增加，氢离子累 积入射数量略有减小，且高能氢离子含量呈下降趋势，而低能氢离子仅在上升沿 阶段产生。电压幅值分别为 10 kV、15 kV、20 kV 和 25 kV 时，随着电压幅值的增 加，等离子体鞘层扩展的更快，入射氢离子能量增加，同时能够获得更大的累积 入射数量。通量密度-能量分布显示，高能氢离子所占的比例较大，约为 80%。脉 冲宽度分别为 10 μs、20 μs、30 μs 和 40 μs 时，随着脉冲宽度的增加，氢离子累积 入射数量增加，高能氢离子所占的比例随之增加。电压幅值 25 kV 三阶上升沿阶 梯波条件下，获得了连续能量的氢离子束，且与每一阶梯电压值相对应能量的氢 离子通量密度较高，并且随着电压阶梯的增加，通量密度呈现增加的趋势。与方 波拟合时相比，三阶上升沿阶梯波条件下，每个电压阶梯相对应能量的高能离子 比例更高，能够获得品质更好的三种单能离子束。 方波氢离子注入后，Kapton-H试样的光学透过率变化主要发生在可见光范围 内。电压幅值分别为10 kV、15 kV、20 kV和25 kV时，随着电压幅值的增加，氢离 子束流密度及累积入射数量快速增加，试样光学透过率下降明显。增加脉冲宽度、 注入时间及氢气气压，氢离子束流密度及累积入射数量随之增加，透过率总体呈