DCDC二次电源辐射特性的研究.pdf

摘要 摘要 随着空间技术的不断发展，研究半导体器件与电路的辐射效应，提高其抗辐 射水平已经是近年来国内外微电子学领域十分重视的课题。而DC．DC转换器作为 电子设备的核心部分，其性能受辐射影响情况直接关系到整个系统的稳定性，因 而研究它在受辐射影响后电性能变化情况，提高其抗辐射水平具有极其重要的意 义。 本文所做工作为研究DC．DC转换器电路的辐射性能，仿真分析各电路模块受 影响后基本电性能的变化情况，针对实际电路提出改进方案以提高电路在受辐射 影响后性能的稳定性。首先在分析基本Boost型DC．DC工作原理及详细工作过程 基础上，根据实际电路指标要求，建立了从6V到15V的升压电路，并在Pspice 中进行模拟仿真。分析了辐射对半导体材料及双极型和MOS型器件产生的影响， 对主要变化量MOS器件的阈值电压、双极型器件的晶体管放大倍数进行了定量分 析。根据主因素近似分析方法，对基准电压源电路、误差放大器电路的辐射后性 能进行了分析，发现误差放大器电路性能参数会随着辐射量变化不断的发生变化， 文中给出了开环放大倍数及输入失调电压的数值分析；而基准电压源电路变化趋 势与之不同，在低剂量时，受影响很小，输出电压基本不变，当总剂量超过90krad 以上时，输出电压开始有很明显的增长趋势。在分析主开关管受辐射后性能变化 基础上，分析了辐射引起基本升压电路性能的主要变化情况，发现电路在总剂量 约45krad以上时输出电压开始降低，输入电流开始急剧增加，引起晶体管功耗不 断增长，不利于晶体管及电路的稳定。针对引起此变化的主要原因，采用增加辅 助电路的方法来降低阈值电压变化对电路的影响，使得受辐射影响后电流增长值 减少了一半，降低了电路3／4的功耗、提高了整个电路的稳定性能。同时，由于低 压差线性稳压器电路的独特性，本文在建立MSK5275．5．OH基本电路基础上，对 其辐射性能进行了分析。 关键词： 开关电源 Boost转换器辐射 总剂量效应 Abstract the of Recentlyyears，with development ectof the technology，thesubj studying effectsof radiationfor ionizing semiconductordevicesand circuits．andhow integrated to their Improve anti。radiation become property in increasinglyimportant micro。electronicsfield．While DC—DCconverter isthecore of its partequipment．and determined property ofthewhole stability is system．Therefore，ittoresearch significant the radiation of