Ba1xSrxTiO3基陶瓷介电性能研究.pdfVIP

INVESTIG拾LTIoNoNTHE DIELECTRJCS OFBARIUMSTRoNTIUM CERAMICS A ThesisSubmittedto Shaanxi ofScienceand University Technology inPartialFulfillment ofthe Requirements forthe of Degree MasterofE ngineeringScience． By Wu Ting Pu Supervisor：Prof．Yongping 2014 May Bal吠SrxTi03基陶瓷介电性能的研究 摘要 科学技术的不断发展对储能元件提出更高的要求，高电压、大电流及高 储能密度成为未来储能元件的关键。本论文以Bal。Sr．Ti03基陶瓷为基体， 的影响，旨在制备出具有高介电常数、低介电损耗及高击穿场强的储能介质 材料。 损耗降低。Sr：+离子半径小于Ba2+离子半径，陶瓷晶格参数减小，晶粒尺寸 细化。陶瓷致密度的提高及微观形貌的优化导致陶瓷样品的平均击穿场强增 大，Ba。。Sro。Ti03陶瓷样品获得了较高的的储能密度0．36 陶瓷样品晶粒尺寸的减小，使得陶瓷中有更多的晶界，大量的空间电荷和缺 陷存在于晶界处，导致晶界处电荷的自由迁移以及在外电场作用下发生转向 更加困难，缺陷的热激活运动增强，Bal。Sr，Ti03陶瓷的活化能增大。 Ba。。Sro。TiO，中异常长大的晶粒及气孔，降低了陶瓷的耐压强度。为了 进一步改善Ba。。Sro。TiO，陶瓷的微观结构，提高其击穿场强和储能密度，本 提高。玻璃添加量为9．0 kV／mm， wt％的Ba。。Sro。TiO，陶瓷击穿场强为16．51 缓了由于玻璃相添加而导致的Ba。。Sro。TiO，陶瓷介电常数的降低程度。在晶 相与玻璃相的共同作用下，陶瓷样品的储能密度显著提高。当玻璃添加量为 5．0 J／cm3。 wt％时，陶瓷样品的储能密度为0．60 气孔等缺陷的存在恶化了Ba。。Sro。TiO，陶瓷的耐压性能，本论文采用粉 组成的，更易于晶化，铁电晶相均匀地分布在玻璃基质中。而整体析晶法制 的平均击穿场强明显大于粉末烧结法制备的玻璃陶瓷，整体析晶法制备的 kV／cm，玻璃相的致密结构使 Ba。。Sro。TiO，玻璃陶瓷的平均击穿场强为588 J／c甜。 其获得了最大的储能密度2．08 关键词：钛酸锶钡，介电常数，击穿场强，储能密度，玻璃陶瓷 INVESTIGATIO