二氧化铪体系电子结构及其硅纳米线力学行为的第一性原理的研究.pdf

摘 要 本文采用基于密度泛函理论的第一性原理计算方法，对二氧化铪体系的电 子结构和硅纳米线的力学行为进行了理论研究。主要研究内容包括：掺杂钇对 立方相二氧化铪的结构稳定性和缺陷性质的影响；不同晶相二氧化铪的低密勒 指数表面体系的表面弛豫、表面磁性、表面能和表面电子结构的研究分析；非 晶相二氧化铪模型的构造以及非晶相二氧化铪一硅界面的原子构型和能带偏移 值的计算；一维硅纳米线在拉伸应力下的结构演化和断裂机制的研究。 本论文分为六章。第一章介绍二氧化铪体系和硅纳米线体系在实验研究、 工业应用中的重要性以及采用理论模拟的必要性。第二章具体讨论文中计算模 拟方法的理论基础以及实现方法。 第三章、第四章和第五章都是有关二氧化铪体系的模拟、分析和结果讨 论。具体地，第三章讨论了掺杂钇对立方相二氧化铪晶体结构和电子结构的影 响。通过对掺杂前后体系能量的比较，发现掺杂钇能够使得常温下并不稳定的 立方相二氧化铪得到稳定；对体系中氧空位缺陷的研究表明：未掺杂之前，中 性的氧空位结构更容易形成，但是掺杂钇之后，缺陷体系更倾向于失去一个电 子，并且对掺杂前后缺陷体系的电子结构分析发现，掺杂会使得原来存在的杂 质能级消失，结果和实验上光电子能谱的观察相吻合，从而从原子层次解释了 掺杂钇对立方相二氧化铪结构稳定性和缺陷行为的影响。 第四章讨论了单斜相、四方相和立方相二氧化铪的低密勒指数表面的结构 弛豫、表面形成能、表面磁性和电子结构性质。结果表明：表面体系的弛豫能 够不同程度地降低表面能，从而使表面结构得到更好的稳定；铪氧键的离子性 特征对于解释表面正负离子的不同弛豫方式起着关键的作用。一般来说，化学 配比的表面体系具有更低的表面形成能。但是某些非化学配比的亚稳表面结构 的形成能与最稳定表面的形成能之间的差异不是很大，即在实验中的某些化学 环境下，可以观察到这些体系的存在。通过自旋极化的计算，发现多氧的表面 体系，即体系中氧铪的比例大于二比一的情形，存在着do铁磁性，分析表明 这是由氧原子2p轨道很强的自旋交换作用和价带顶附近很高的氧2p电子的态密 度共同作用的结果。这在一定程度上解释了实验和理论上关于二氧化铪体系中 rfo铁磁巾牛的争论。 二氧化铪体系电子结构及硅纳米线力学行为的第一性原理研究 第五章是关于非晶相二氧化铪一硅界面的原子构型和电子结构性质的研究。 首先，我们利用第。|生原理分子动力学的方法，在“熔化一淬火”方案下，构造 得到了非晶相的二氧化铪结构，分析表明：得到的二氧化铪非晶相的结构特征 能够很好地与实验的观察相符合。进而，我们研究了非晶二氧化铪和硅之间界 面的原子构型和电子结构。结果发现，体系中的界面态主要是来源于界面附近 的硅铪键；对能带偏移值的计算显示，硅和二氧化铪之间的价带偏移值和导带 偏移值都能很好地与实验比较，并且能够满足器件应用中的性能要求。 第六章对沿[001]方向生长的硅纳米线的拉伸过程进行了准静态的模拟，研 究了在拉伸应变下硅纳米线的结构演化和断裂机制。 关键词：密度泛函理论，第一性原理计算，高介电常数材料，电子结构计算， 掺杂，do铁磁性，能带偏移，硅纳米线，断裂机制 中图分类号：0469 Abstract First basedon havebeen calculations functional principles density theory to theelectronicstructuresof andthetensile performedinvestigate Hf02systems ofsiliconnanowires．ForYdefectincubic properties Hf02，the structure，the lowMillerindexsurfacesandtheinterfacebetweensiliconand Hf02 amorphous