掺杂改性二氧化薄膜的制备及其光学性能研究.pdfVIP

摘要 Ti02作为一种廉价、无毒、化学性质稳定的半导体，目前已成为研究最为广 泛的太阳能电池用材料之一。但啊02禁带宽度较宽，对太阳能的利用率很低， 限制了其在太阳能领域的实际应用。因此对Ti02进行各种掺杂，以提高其对太 阳光的利用率。 本文分别采用溶胶．凝胶法和磁控溅射法制备了纯髓02薄膜，并采用溶胶． 凝胶法和离子注入技术对Ti02薄膜进行改性研究。在溶胶．凝胶法制备Ti02薄膜 过程中将Ge掺入Ti02薄膜；在溶胶．凝胶法制备的髓02薄膜中，用离子注入技 术进行了Fe、Cr的单独注入以及复合注入；在磁控溅射法制备的Ti02薄膜中， 分别进行Ge、Si的单独和复合注入。考察了掺杂方式和掺杂离子对薄膜表面形 貌、结晶、表面化学态和光学性能的影响，结果如下。 Xlm及XPS的研究结果表明，溶胶凝胶法和磁控溅射制备的Ti02薄膜为锐 钛矿型；但薄膜的表面化学态及价键状态有所不同，最终导致两者光性能的差异。 溶胶的配比对薄膜质量有影响。 采用溶胶．凝胶法对Ti02进行Ge掺杂及还原处理，薄膜产生了一定红移， 掺杂Ge：豇=3：7的薄膜红移显著，同时聚乙二醇的加入有利于薄膜红移。溶胶 凝胶法在不同室温下制备薄膜结晶性、Ge存在方式、紫外．可见吸收不同。室温 22℃条件下制备的薄膜及其中Ge的结晶性很好：XPS分析表明，Ge大部分以 单质形式存在；18℃条件下掺杂薄膜结晶性差，Ge主要以氧化锗形式存在。 Fe、Cr离子复合注入后，薄膜的结晶性变差；XPS分析结果显示，Fe、Cr 分别以单质和氧化物形式存在：光学性能较单独注入Fe的有所下降。分析表明， 两种离子的相互作用最终使得薄膜中有效离子浓度降低，Cr的存在使Fe得红移 效果降低。 与Fe、Cr离子复合注入不同，在磁控溅射法制备的Ti02薄膜中，Si、Ge 复合注入使得薄膜的红移效果显著，但结晶性变差；XPS分析Ge、Si表明；Si 以氧化态存在，Ge以单质存在，两种离子的相互作用，使复合注入的薄膜光学 性能有大幅度提高。 以上研究结果为促进制备对可见光敏感的Ti02薄膜的研究提供了有价值的 参考依据。 关键词：太阳能电池Ti02薄膜溶胶凝胶磁控溅射离子注入 ABSTRACT Asa stable hasbeen lo、Ⅳ-co瓯non—toxic觚dchemicallysemiconductor，Ti02 asoneofthemoSt materialsiIlthefiledofsolar regarded extensiVelyinVestigated cells． inthevisible limitsthe However廿leinactivi够 lightregion practical of elementSwere to Ti02．Thereforc，dif凳rcnt into西02 applications doped improVe the low of in sun its Ti02 spec臼．al inhercntIye伍ciency harveStinglightbyshiRing intoVisible responSe lightrange． were method锄d Inmis films Ti