熔盐法制备一维来石陶瓷材料的研究.pdfVIP

摘要 在一定条件下，晶体沿着线性链方向生长的陶瓷材料被称为一维陶瓷材料。 一维材料在其他维度方向上生长受限，因此表现出不同于传统材料的特殊性能。 其中一维莫来石陶瓷由于其优异的热震性、抗蠕变性，以及高温下室温强度衰减 小的特性，已经应用于晶须补强、涂层技术、过滤膜、高温催化反应器等方面。 熔盐法是一种湿法化学合成方法，其优势在于合成的粉体无团聚、工艺简单；与 其他液相法相比，其合成出的一维晶体质量更高。本文中，对采用熔盐法合成一 维莫来石陶瓷进行了研究。 对前驱体的研宄表明，采用化学活性高、溶解能力强的前驱体，有助于获得 物全部为一维莫来石晶体。XRD、EDS、HR-TEM结果表明所得的莫来石晶体为 富Al组成，光致发光性能反映出富Al组成产生的氧空位缺陷。对温度制度的研 究表明，快速升温有助于莫来石相的生成；合成温度过高，莫来石晶体会在l100℃ 左右发生分解形成NaAlSi04。 对莫来石晶体生长机理的研究表明。熔盐法合成过程中，当液相中不断生成 的莫来石超过其过饱和度时，莫来石开始成核。在液固生长界面处，莫来石单体 的沉淀是可逆的，因此生长能够按照其能量最低的原则不断进行调整，从而最大 限度的保证其在c轴方向的自由生长。莫来石晶体在界面处的生长位置是由二维 平台提供的，这个过程所需克服的能量壁垒大，当二维平台耗尽时，晶体即停止 生长。莫来石晶体在熔盐法中的生长属于LS生长机理。 通过对B203外加剂的研究，发现莫来石晶体尺寸的减小，当B203／Si02达到 O．04(摩尔比)时形成了纳米级别莫来石晶体，其归因于B203的加入有助于成 核速率加快。通过对莫来石晶种的研究，发现晶种的加入能够在一定程度上提高 熔盐法制备莫来石晶体的产率，莫来石晶体的尺寸减小、尺寸更加均匀，这是由 于晶种的加入能够为莫来石晶体提供生长位点，提高了莫来石晶体初期形核速 率。 关键词： 一维陶瓷材料熔盐法莫来石晶种氧化硼 ABSTRACT The which the specificc巧Stals linearchaillare growalong classmedt0 one-dinlension structuredceramic canexhibit materials，whichspecialproperties tothc restrictioninother owing gm叭h toits therrnalshock dnctions．Owinggreat resist跏ce锄dstable reslstance，creep at room—temperature日exuralstren垂hhigh hasbeen inwhisker temperature，mullite applied technoIogy，coating technology，filter so membrane，h远h-temperaturereactor，andon．Themoltensalts catal”ic sVnthesis toaw既chemicalmethod．In (MSS)belong resu