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第 31卷 第 4期 电 子 显 微 学 报 Vo1．31．No．4 2012年 8月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 2012-08 文章编号 ：1000—6281(2012)04-0281—05 外延 BiFeO3薄膜的TEM显微结构表征 张 腾 ，于 荣 ，朱 静 ，詹 倩 ，朱英豪 (1．清华大学材料 系 北京电子显微镜 中心，北京 100084；2．北京科技大学材料学院，北京 100083； 3．台湾交通大学，台湾 新竹 30010) 摘 要 ：外延 BiFeO薄膜 中丰富的结构与特殊 的性能一直是近年来研究的热点。显微结构的研 究不仅可以帮助 人们进一步认识 BiFeO 的结构信 息，还可 以帮助人们深入 了解 BiFeO结构与性能 间的关系，开拓新 的应用领域。 本文利用球差校正高分辨透射 电子显微镜对外延在 LaA10过渡层 ／Si基底上的BiFeO薄膜进行研究。通过原子尺 度的定量分析 ，在应力状态复杂区域观察到类菱方相、应力释放后恢复的菱方相以及拉应力状态下c／a值 小于 1的 类菱方相，并在该区域观察到 109。铁 电畴，且畴问存在4．4。的畸变夹角。还观察到比较大的c／a比。 关键词 ：多铁性 ；高分辨电子显微术 ；铁 电畴 ；菱方相 中图分类号 ：TB34；076；TG115．213 文献标识码 ：A BiFeO是一种多铁性钙钛矿结构化合物，是迄 众所周知，铁 电体的铁 电性质主要 由畴结构以 今最早发现的唯一在室温下同时保持电极化和磁性 及畴壁的运动所决定 ，畴壁处存在许多异于畴 内的 有序性 (T =l143K，T =643K)的单相 多铁性磁 特殊性质 ，例如导 电性增 强… 、光 电流生成 ¨”、 电材料 ¨。其无铅环保 的特点 以及室温多铁性使 磁阻效应 ¨等。而应变 、晶体缺陷和荷 电现象都会 其在传感器 、存储器、自旋电子器件等众多功能材料 影响到铁 电薄膜的本征性质和畴结构 ¨ ”，并主导 领域 中有广泛 的应用前景 。 着极化反转的动力学过程 ¨ 。通常人们利用 PFM 室温下块体 BiFeO 的稳定结构为菱方畸变钙 对 BiFeO 薄膜 中的畴结构 以及极化反转进 行研 钛矿结构 (R3c)，除此之外有人报道过还存在 四方 究 ¨ 。最近 Jia等人 利用球差矫正透射 电子 畸变 BiFeO相 (P4mm) ’。近年来关于 BiFeO薄 显微镜直接观察到 了铁 电极化涡旋畴。Nelson等 膜的研究揭示 了其大量异于块体的奇异特性。在外 人 利用球差矫正透射 电子显微镜在铁电体 一绝 延应力场作用下，BiFeO薄膜 中存在丰富的晶体结 缘体异质界面处观察到了三角形的自发极化纳米涡 构 ，外延应力的限制会引起 晶格单斜畸变 ，从而使菱 旋畴，并结合相场模拟理论研究 了其形成机制 以及 方相和四方相对称性降低 ，形成类菱方相 (cc)和类 在极化 回路中的作用。 四方相 (Cc)。Zeches等人 利用传统 的MBE和 目前关于 BiFeO 的研究工作多集 中于直接外 laser．MBE方法在 LaA10 单 晶基底上外延生长 了 延在 LaA10 、SrTiO等钙钛矿结构基底上 的BiFeO BiFeO薄膜 ，通过精确控制薄膜厚度来引入合适大 薄膜 ，不易与工业化程度高度完善 的si工艺结合 。 小的应力 ，从而实现相结构 的控制。随着压应力 的 此项工作研究通过 LaA10过渡层长在 si基片上 的 增大 ，BiFeO薄膜会从类菱方相转变为类 四方相。 外延 BiFeO薄膜 ，相 比之下更 易于与 si工艺结合 ， Kim等人 研究表明，BiFeO 中类菱方相到类 四方