碳化硼五次孪晶纳米线的结构弛豫现象研究.pdfVIP

第 30卷 第 4-5期 电 子 显 微 学 报 Vo1．30．No．4．5 2011年 l0月 JournalofChineseElectronMicroscopySociety 2011．1O 文章编号：1000—6281(2011)04／05-0439—05 碳化硼五次孪晶纳米线的结构弛豫现象研究 付 新 ，袁 俊 (1．北京有色金属研究总院，北京 100088；2．英 国约克大学物理系，英 国约克，YorkYO105DD) 摘 要 ：通过透射 电子显微学方法研究纳米材料 内部结构有助于理解界面与缺陷对纳米材料性能的影响。在碳 化硼五次孪 晶纳米线体系中，为 了缓解 5。角度过剩 引起 的五次孪 晶轴心区域 的弹性应变能，在纳米线 内部会产生 一 些结构缺陷。本文通过系列 电子衍射分析结合暗场成像技术揭示 了碳化硼五次循环孪晶纳米线 中的一种结构 弛豫模式。孪晶轴向纳米线边缘偏移从而导致其 中2片单晶结构单元的缺失，形成仅具有3个单 晶结构单元的非 完整循环孪晶结构。统计分析发现此类结构弛豫现象少量存在于 1100℃固相烧结合成 的碳化硼五次孪 晶纳米线 中，从能量角度定性分析表明这可能与该结构弛豫发生过程中会产生具有较高能量的界面及表面有关。 关键词 ：五次孪 晶结构 ；碳化硼纳米线 ；结构弛豫 中图分类号：076；077；TB383；TG115．21 5．3 文献标识码 ：A 缺陷的存在是影响材料作为独立器件应用的重 后仅有约 1。的角度不足 ；对于 菱方碳化硼，在 要因素，特别是对于纳米尺度材料，缺陷对材料的物 形成五次孪 晶结构过程 中要 引入约 5。的角度过 理 、化学及力学性能 的影响更不可忽视 。有人认为 剩 。角度失配使得 围绕五次孪 晶轴形成非均匀 缺陷可以很容易 逃‘逸 ’到纳米材料 的表面 ，所以纳 的弹性应力场，五次孪晶轴便是引起周围晶格发生 米材料的缺陷没有受到应有的重视。实际上纳米线 旋转位移的线缺陷，被称作 “Star—disclination” (本 内部的缺陷是客观存在的，只是对其起因往往 了解 文以SD表示)。随着五次孪晶纳米结构增大 ，其内 不够 ，特别是一些具有独特内部结构的纳米材料。 部非均匀弹性应变能不断积累，到达一定尺度后会 五次孪晶纳米结构是单晶结构单元通过循环孪 引发 内部缺 陷的产生 ，以降低不断增长 的弹性应 晶操作形成的一种具有独特表面及内部结构特征的 变能 。 纳米材料。已有研究报道表明五次孪晶结构普遍存 对于五次孪 晶纳米线 ，特别是被广泛研究的 在于小颗粒及纳米线 中。如具有面心立方 (FCC)结 FCC贵金属纳米线 ，人们已经认识到其 内部除本征 构的贵金属纳米颗粒及纳米线体系中；具有金刚石 的线缺陷 SD和五个孪 晶面外还存在其他缺陷结 立方结构的 si、Ge等半导体材料 中¨；以及具有 O／ 构 ，如位错、层错等 。碳化硼五次循环孪 晶纳 菱方结构 的超硬材料氧化亚硼 (BO) 及碳化硼 米线 ，有着不同于 FCC结构及 BO的本征角度失 (Bc) 中均已发现了五次孪晶结构的存在。对此 配，即5。角度过剩。随着其直径 的增加 ，此类纳米 类材料的研究兴趣源于其具有单晶材料所没有的五 线可选择在某一单 晶结构单元 内部形成 5。小角度 次对称性以及由于这种独特的对称性所引起的新颖 晶界 ，以缓解五次孪晶轴心 SD引起的弹性应变能。 物理性能 ，如 内部孪 晶界的存在可 以增强纳米 为进一步降低形成小角 晶界 的刃性位错的芯部能 结构 的力学性能等 。为了形成五次循环孪 晶结 量