提高能谱仪定量分析准确度的探讨.pdfVIP

6、结束语 芯片失效的发生往往不是在表层而是在下层的层间金属化或有源区，为了实现芯片内部的可观察性和 可测试性，失效分析必须有选择地进行剥层分析，反应离子刻蚀、湿法腐蚀、FIB刻蚀等一系列的去层技 术为展现芯片下层失效形貌提供了有力手段。 参考文献： 1【】Proc．IEEEInt’lReliabilityPhysicsSymp．，variousyears． [2】WAGNERLC．FailureAnalysisofIntegratedCircuitsToolsandTechniques眦】．Boston：KluwerAcademicPublishers，1999． 3【】R．Boylan，M．Wa吐 andD．Tuggle，”FailureAnalysisofMicronTechnologyVLSIUsingFocusedIonBeams．”Proc．Int．Syurp． forTestingnadFailureAnalysis，PP．249-255，Nov．1989． [4】D．J．Larson，D．T．Foord，A．K．Pefford-Long，H．Liew，M．G．Blamire，A．Cerezo，andG．D．W．Smith，”Field—ionspecimen preparationusingfocusedion-beam milling．” Ultramicroscopy79：287 1999． [5】姚立真．可靠性物理 ，北京：电子工业出版社 ，2004． 6【】孑L学东，恩云飞，电子元器件失效分析与典型案例，国防工业出版社，2006 作者简介：陈媛 (1983- )，女，湖北荆flA-，硕士，毕业于吉林大学微电子学与固体电子学专业，现在工业与信息化部电 子第五研究所可靠性研究分析中心，电子元器件可靠性物理及其应用技术国家级重点实验室任助理工程师。主 要从事Ic可靠性及失效分析、军用电子元器件破坏性物理分析研究等。 提高能谱仪定量分析准确度的探讨 施 明哲 张 惠 朱惠姬 (工业和信息化部电子第五研究所 广东 广州 510610) 逸 稠 空阚分辨灸毫 谨鱼坠 抵毽畦l、 介绍样品含量的均匀 金材料和化合物的 冲 包多得到比较准龟和满羹 夸 l ≮_|l 赫 矗矗 祷 l 嚣臻 gtl 1 引言 x射线能谱仪是当前在显微成份分析中得到广泛应用的分析仪器。它既方便又实用，但如何才能把能 谱的定量分析结果做的准确，其中操作参数的选择和技巧的运用是值得我们总结和探讨的。如用同一台 14 谱仪分析同一块样品，不同的人有时会做出不同的结果，特别是那些含量相对比较少的元素，结果相差 有时还会比较大。这种情况多数都是没有很好的根据样品的具体情况来选择好电镜和谱仪的参数及注意 一 些有关的事项。因为所选用的参数是否合理都会直接影响到分析结果的准确性。 2 电镜参数的选择 2．1加速电压 (acc．voltage) 在对某样品进行检测之前 ，想要获得最佳的分析结果 ，首选就是要对样品中最感兴趣的几个主要元 素的特征峰选择合理的加速电压 (Eo)，Eo一般应选为最感兴趣的某 1～2个元素的吸收边的2～3倍。例 如FeK仅的吸收边为7．1KeV，若分析可伐材料或含镍的不锈钢材建议用 20KV；若分析铬铁不锈钢或检 测铁中铝、硅、磷、硫和锰等夹杂物的含量 ，建议用 15KV；若分析铁与超轻元素的含量 ，建议用 5～ IOKV的高压来分析铁的L线；若分析青铜 (cu、sn)、黄铜 (cu、zn)建议分别使用20和25KV；若分 析玻璃类 (O、Na、A1、Si、K和Ca)或金属氧化物陶瓷样品建议用 10KV；若分析铅锡焊料建议用 1