亚阈值下+mosfet+氧化层和空间电荷区的二维电势解析模型.pdfVIP

第 11期 电 子 学 报 V01．41 No．11 2013年 11月 AcTAELE(rRONICA SINICA Nnv． 20l3 亚阈值下 MOSFET氧化层和空间电荷区的二维 电势解析模型 韩名君 ，一，柯导明 ，王保童 ，王 敏 ，徐春夏 (1．安徽大学电子信息工程学院，安徽合肥230601；2．芜湖职业技术学院电子信息系，安徽芜湖241000) 摘 要 ： 本文用特征函数将因氧化层和空间电荷区衔接条件得到的恒等式作正交展开，把未知量求解转化成一 组线性代数方程 ，得到了二维电势解析表达式 ，并给出了电势能极值点的计算方法．模型的优点是精度与数值解的精 度相同，不含适配参数、运算量小、避免了数值分析时的方程离散化，可直接用于电路模拟程序 ．文中讨论了亚阈值下 NMOSFEF的电势分布、阈值电压和界面态电荷的影响．结果表明，该模型与MEDICI结果极其吻合． 关键词 ： 金属氧化物半导体场效应管；电势解析模型；栅氧化层；空间电荷区 中图分类号 ： TN386．1 文献标识码 ： A 文章编号： 0372—2112(2013)11．2237—05 电子学报U ：http：／／www．ejourna1．org．CB DOI：10．3969／j．issn．0372．2112．2013．11．019 A2-DAnalyticalPotentialModelfortheOxideLayer andSpaceChargeRegionofMOSFETsinSubthreshold HAN Ming．~unI2KE Dao．ming ，WANGBao．tong，WANGMin ，XU Chun—xia ， (1．SchoolofElectronicsandInformation g，AnhuiUniversity，Hefei，Anhui23060I，Chn／a； 2．DepartmentofElectronicInformation，WuhuInstituteofTechnology，Wuhu，Anhui241000，China) Abstract： A 2-D potential analyticalsolutionintheoxidelayerandspacechargeregionisderived．nleunknownsaleableto besolvedbyagroupoflinearequation，whichisorthogonalexpandedfrom theconnectedconditionidendtyofoxidelayernadspace chargeregion．n lesolutionofpotentialextremepo intisalsopresentde ．Therearemanyadvnatagesofsmallcalculatingamount． wihtoutnaycompromiseinaccuracynadadaptre parameters．Moreovre．thismodelCna be directlyusedni circuitsimulation．]r|le potential dislxibutionsnadthresholdvoltageofNMOSFEThavebeenderivde ni subthreshold．ExceUentagreementwiht MEDICIhas beenobservde ． Keywords： metal—oxide-esmiconductorfieldeffecttransistor(MOSFET)；potentialanalyticalmodel；gateo