下一代栅材料—难熔金属.pdfVIP

第 30 卷 　第 2 期 电 子 器 件 Vol. 30 　No . 2 2007 年 4 月 　　　 Ch inese J ou r nal Of Elect ro n D evices 　　 Ap r . 200 7 3 Next Gen erat ion Gat e at er ial —Ref ractor y eta l Z H OU H u a2j ie , X U Qi u2xi a ( I nst i t ut e of i cr oel ect r onics of Chi n ese Ac a demy of S ci en ces , Be ij i ng 100029) Abstr act :Wit h t h e scali ng of t r a nsist or , po ly2silicon (p ol y2Si) ga te dep letion , high gat e re si st ance , an d B dopa nt p enet rat ion fr om dop ed p ol y2Si gat e to silicon su bst r at e encoun ter ed b y conven tional p ol ysilicon gate become an ob st acle for fu rt her scali ng of t r ansi stor . An d r ef ractory metal gate i s con si der ed t o be t h e mo st p romisi ng candi date . It can co mmenda bly re so lve t hese p ro bl ems t o be conf ron ted by p ol ysilicon gate . This p ap er mai nly in t ro duces some factor s which have to be con sider ed when selecti ng r ef ractory met al mater ial an d fi ve mai n fa br icat ion p roces ses. A nd t hei r mer it s an d shortcomi ng have been co mp ar ed . Key wor ds :met al2gate ; r efr actory metal ; pol y2si dep letion eff ect ; bor on p enet r ation E EACC :053 0 ;2520 3 下 一 代 栅 材 料 —难 熔 金 属 周华杰 ,徐秋霞 ( 中国科学院微 电子研究所 ,北京 100029) 摘 　要 :随着晶体管尺寸的缩小 ,传统 的多 晶硅栅存在的多晶硅栅耗尽效应 、过高的栅电阻和 P OS 管的硼穿透效应成为晶 体管尺寸进一步缩小的障碍 . 而难熔金属栅则被认为是最有希望 的替代 者. 它可以很好的解决多晶硅栅面 临的这 些问题 . 本 文主要介绍了选择难熔金属栅材料所需考虑 的因素以及五种主要的制备工艺 ,并对比了它们各 自的优缺点. 关键词 :金属栅 ;难熔金属 ; 多晶硅栅耗尽效应 ;硼穿通 中图分类号 :TN3